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以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展

时间:2020-10-12 14:02

  声明:,•,,。详情

  半导体质料(semiconductor material)是一类拥有半导体功能(导电才能介于导体与绝缘体之间,电阻率约正在1mΩ·cm~1GΩ·cm鸿沟内)、可用来造造半导体器件和集成电道的电子质料。

  天然界的物质•、质料按导电才能巨细可分为导体•、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率正在1mΩ·cm~1GΩ·cm鸿沟(上限按谢嘉奎《电子线倍的;因角标弗成用,暂用而今描画)。正在日常处境下•,

  内正在根基性子的却是各式表界成分如光热磁电等影响于半导体而惹起的物理效应和形势,这些可统称为半导体质料的半导体性子。组成固态电子器件的基体质料绝大大批是半导体,恰是这些半导体质料的各式半导体性子给与各式差异类型半导体器件以差异的功效和个性。半导体的根基化学特性正在于原子间存正在饱和的共价键。动作共价键特性的表率是正在晶格构造上涌现为四面体构造,以是表率的半导体质料拥有金刚石或闪锌矿(ZnS)的构造。 因为地球的矿藏多半是化合物,以是最早取得运用的半导体质料都是化合物,比如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波,氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器,闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光质料,碳化硅(SiC)的整流检波影响也较早被运用。硒(Se)是最早挖掘并被运用的元素半导体,曾是固体整流器和光电池的厉重质料。元素半导体锗(Ge)放大影响的挖掘开导了半导体史册新的一页,从此电子筑设最先达成晶体管化•。中国的半导体商酌和分娩是从1957年头度造备出高纯度(99.999999%~99.9999999%) 的锗最先的。采用元素半导体硅(Si)此后,不但使晶体管的类型和种类增多、功能进步,并且迎来了大范围和超大范围集成电道的时间••。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的挖掘煽动了微波器件和光电器件的敏捷生长。

  半导体质料可按化学构成来分•,再将构造与功能斗劲出格的非晶态与液态半导体零丁列为一类•。依据如此分类办法可将半导体质料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

  的元素,下表的黑框中即这11种元素半导体,个中C流露金刚石。C、P•、Se拥有绝缘体与半导体两种样子;B、Si、Ge•、Te拥有半导性•;Sn、As、Sb拥有半导体与金属两种样子。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易阐明,以是它们的适用代价不大。As•、Sb、Sn的安宁态是金属,半导体是担心宁的样子。B、C、Te也因造备工艺上的穷苦和功能方面的限度性而尚未被运用。是以这11种元素半导体中只要Ge、Si、Se 3种元素已取得运用。Ge、Si仍是全豹半导体质料中行使最广的两种质料。

  无机化合物半导体 分二元系、三元系、四元系等。 二元系蕴涵:①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都拥有闪锌矿的构造。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb构成,表率的代表为GaAs。它们都拥有闪锌矿构造,它们正在行使方面仅次于Ge、Si,有很大的生长出息。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn•、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te酿成的化合物,是极少厉重的光电质料。ZnS••、CdTe•、HgTe拥有闪锌矿构造。④Ⅰ-Ⅶ族:Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I酿成的化合物,个中CuBr、CuI拥有闪锌矿构造。⑤Ⅴ-Ⅵ族:Ⅴ族元素As、Sb•、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te酿成的化合物拥有的式样,如Bi2Te3、Bi2Se3•、Bi2S3、As2Te3等是厉重的温差电质料。⑥第边际期中的B族和过渡族元素Cu••、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为要紧的热敏电阻质料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm•、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te酿成的化合物。 除这些二元系化合物表另有它们与元素或它们之间的固溶体半导体,比如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。商酌这些固溶体可能正在刷新简单质料的某些功能或开导新的行使鸿沟方面起很大影响。

  三元系蕴涵:族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替换Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所组成的。比如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族:这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替换Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所组成的, 如 CuGaSe2•、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。:这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替换族中两个Ⅲ族原子所构成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等•。其它,另有它的构造根基为闪锌矿的四元系(比如Cu2FeSnS4)和更纷乱的无机化合物•。

  有机化合物半导体 已知的有机半导体有几十种,熟知的有萘•、蒽、聚丙烯腈、酞菁和极少芬芳族化合物等,它们动作半导体尚未取得行使。

  非晶态与液态半导体 这类半导体与晶态半导体的最大区别是不拥有庄重周期性陈列的晶体构造。

  其构造安宁,具有特出的电学个性,并且本钱低廉,可被用于创筑新颖电子筑设中通常行使的场效应晶体管。

  科学家们流露,最新商酌希望让人造皮肤、智能绷带•、柔性显示屏•、智能挡风玻璃、可穿着的电子筑设和电子墙纸等酿成实际。

  高贵的起因要紧由于电视机、电脑和手机等电子产物都由硅造成,创筑本钱很高;而碳基(塑料)有机电子产物不但创筑便利•、本钱低廉,并且轻易柔韧可弯曲,代表了“电子筑设无处不正在”这一来日趋向。

  以前的商酌证明,碳构造越大,其功能越优异。但科学家们无间未尝商酌出有用的办法来创筑更大的、安宁的、可融解的碳构造以实行商酌,直到此次祖切斯库团队研造出这种新的用于创筑晶体管的有机半导体质料。

  有机半导体是一种塑料质料,其具有的出格构造让其拥有导电性。正在新颖电子筑设中,电道行使晶体管独揽差异区域之间的电流。科学家们对新的有机半导体质料实行了商酌并寻求了其构造与电学属性之间的相干。

  造备差异的半导体器件对半导体质料有差异的样子央浼,蕴涵单晶的切片••、磨片掷光片、薄膜等。半导体质料的差异样子央浼对应差异的加工工艺。常用的半导体质料造备工艺有提纯•、单晶的造备和薄膜表延发展•。

  全豹的半导体质料都须要对原料实行提纯,央浼的纯度正在6个“9”以上,最高达11个“9•”以上。提纯的办法分两大类,一类是不调度质料的化学构成实行提纯,称为物理提纯•;另一类是把元素先酿成化合物实行提纯,再将提纯后的化合物还原成元素,称为化学提纯。物理提纯的办法有真空蒸发、区域精造、拉晶提纯等,行使最多的是区域精造。化学提纯的要紧办法有电解•、络合、萃取、精馏等,行使最多的是精馏•。因为每一种办法都有必然的限度性,是以常行使几种提纯办法相贯串的工艺流程以取得及格的质料•。

  绝大大批半导体器件是正在单晶片或以单晶片为衬底的表延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体发展法造成的。直拉法行使最广,80%的硅单晶、大部门锗单晶和锑化铟单晶是用此法分娩的,个中硅单晶的最大直径已达300毫米。正在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法•,用此法已分娩出高匀称性硅单晶。正在坩埚熔体表观参与液体遮盖剂称液封直拉法,用此法拉造砷化镓、磷化镓、磷化铟等阐明压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触•,用此法发展高纯硅单晶••。水准区熔法用以分娩锗单晶•。水准定向结晶法要紧用于造备砷化镓单晶,而笔直定向结晶法用于造备碲化镉•、砷化镓••。用各式办法分娩的体单晶再经历晶体定向、滚磨、作参考面、切片•、磨片、倒角、掷光、腐化、洗刷、检测、封装等全盘或部门工序以供应相应的晶片。

  正在单晶衬底上发展单晶薄膜称为表延。表延的办法有气相、液相、固相、分子束表延等。工业分娩行使的要紧是化学气相表延,其次是液相表延。金属有机化合物气相表延和分子束表延则用于造备量子阱及超晶格等微构造。非晶、微晶、多晶薄膜多正在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用差异类型的化学气相浸积、磁控溅射等办法造成。

  为了消弭多晶质料中各幼晶体之间的晶粒间界对半导体质料个性参量的广大影响,半导体器件的基体质料日常采用单晶体。单晶造备日常可分梗概积单晶(即体单晶)造备和薄膜单晶的造备。体单晶的产量高,运用率高,斗劲经济。但良多的器件构造央浼厚度为微米量级的薄层单晶。因为造备薄层单晶所需的温度较低,往往可能取得质地较好的单晶。全体的造备办法有•:①从熔

  与熔体接触并向上提拉时,熔体仰仗表观张力也被拉出液面,同时结晶出与籽晶拥有无别晶体取向的单晶体。②区域熔炼法造备单晶:用一籽晶与半导体锭条正在头部熔接,跟着熔区的挪动则结晶部门即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中发展单晶。前两种办法用来发展体单晶,用提拉法一经能造备直径为200毫米,长度为1~2米的锗、硅单晶体。后两种办法要紧用来发展薄层单晶。这种薄层单晶的发展日常称表延发展,薄层质料就发展正在另一单晶质料上。这另一单晶质料称为衬底,一方面动作薄层质料的附着体,另一方面即为单晶发展所需的籽晶。衬底与表延层可能是统一种质料(同质表延),也可能是差异质料(异质表延)。采用从溶液中再结晶道理的表延发展办法称液相表延••;采用从汽相中发展单晶道理的称汽相表延。液相表延即是将所需的表延层质料(动作溶质,比如GaAs),溶于某一溶剂(比如液态镓)成饱和溶液,然后将衬底浸入此溶液,渐渐消浸其温度,溶质从过饱和溶液中连续析出,正在衬底表观结晶出单晶薄层。汽相表延发展可能用包括所需质料为组分的某些化合物气体或蒸汽通过阐明或还原等化学响应淀积于衬底上,也可能用所需质料为源质料,然后通过真空蒸发、溅射等物理经过使源质料变为气态••,再正在衬底上凝结。分子束表延是一种经历改革的真空蒸发工艺。运用这种办法可能切确独揽射向衬底的蒸气速度•,能取得厚度只要几个原子厚的超薄单晶,并可取得差异质料差异厚度的互结交叠的多层表延质料。非晶态半导体固然没有单晶造备的题目,但造备工艺与上述办法彷佛,日不时用的办法是从汽相中发展薄膜非晶质料。

  氮化镓、碳化硅氧化锌等都是宽带隙半导体质料,由于它的禁带宽度都正在3个电子伏以上,正在室温下不恐怕将价带电子饱舞到导带。器件的事务温度可能很高,譬喻说碳化硅可能工

  作到600摄氏度;金刚石即使做成半导体,温度可能更高,器件可用正在石油钻探头上收罗相干须要的新闻。它们还正在航空、航天等阴毒境遇中有厉重行使。播送电台、电视台,独一的大功率发射管依旧电子管,没有被半导体器件取代。这种电子管的寿命只要两三千幼时,体积大,且特殊耗电;即使用碳化硅的高功率发射器件,体积起码可能节减几十到上百倍,寿命也会大大增多,以是高温宽带隙半导体质料辱骂常厉重的新型半导体质料。

  这种质料特殊难发展,硅上长硅,砷化镓上长GaAs,它可能长得很好••。然则这种质料多人都没有块体质料•,只得用其它质料做衬底去长。譬喻说氮化镓正在蓝宝石衬底上发展,蓝宝石跟氮化镓的热膨胀系数和晶格常数相差很大,长出来的表延层的缺陷良多,这是最大的题目和难合。其它这种质料的加工、刻蚀也都斗劲穷苦。科学家正正在发轫处置这个题目,即使这个题目一朝处置,就可能供应一个特殊雄伟的挖掘新质料的空间。

  本质上这里说的低维半导体质料即是纳米质料,之以是不应许行使这个词,生长纳米科学工夫的厉重宗旨之一,即是人们能正在原子、分子或者纳米的标准水准上来独揽和创筑功效健旺•、功能卓异的纳米电子、光电子器件和电道,纳米生物传感器件等,以造福人类。可能预思,纳米科学工夫的生长和行使不但将彻底调度人们的分娩和生涯式样,也必将调度社会政事形式和干戈的分裂式样。这也是为什么人们对生长纳米半导体工夫特殊着重的起因。

  但当质料的特性尺寸正在一个维度上比电子的均匀自正在程比拟更幼的时分,电子正在这个对象上的运动会受到局限,电子的能量不再是接续的,而是量子化的•••,咱们称这种质料为超晶格、量子阱质料。量子线质料即是电子只可沿着量子线对象自正在运动,其它两个对象上受到局限;量子点质料是指正在质料三个维度上的尺寸都要比电子的均匀自正在程幼,电子正在三个对象上都不行自正在运动,能量正在三个对象上都是量子化的。

  因为上述的起因,电子的态密度函数也爆发了转变•,块体质料是掷物线,电子正在这上面可能自正在运动;即使是量子点质料,它的态密度函数就像是单个的分子、原子那样,齐全是伶仃的 函数分散,基于这个特色,可创筑功效健旺的量子器件。

  量电子的滚动须要打发良多能量导致芯片发烧,从而局限了集成度,即使采用单个电子或几个电子做成的存储器•,不仅集成度可能进步,并且功耗题目也可能处置。激光器效能不高,由于激光器的波长跟着温度转变,日常来说跟着温度增高波长要红移,以是光纤通讯用的激光器都要独揽温度。即使能用量子点激光器取代现有的量子阱激光器•,这些题目就可迎刃而解了。

  基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱质料一经生长得很成熟,通常地行使于光通讯、挪动通信、微波通信的范畴。量子级联激光器是一个单极器件,是近十多年才生长起来的一种新型中、远红表光源,正在自正在空间通讯、红表分裂和遥控化学传感等方面有着厉重行使远景。它对MBE造备工艺央浼很高,总共器件构造几百到上千层,每层的厚度都要独揽正在零点几个纳米的精度•,中国正在此范畴做出了国际先

  进水准的功劳;又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦合量子阱激光器,它拥有量子效能高、功率大和光束质地好的特色,中国已有很好的商酌根源•;正在量子点(线)质料和量子点激光器等商酌方面也博得了令国际同业注宗旨劳绩。

  杂质独揽的办法大大批是正在晶体发展经过中同时掺入必然类型必然数宗旨杂质原子。这些杂质原子最终正在晶体中的分散,除了决意于发展办法自己以表,还决意于发展条款的拣选。比如用提拉法发展时杂质分散除了受杂质分凝法则的影响表,还受到熔体中造止则对流的影响而发生杂质分散的晃动。其它,无论采用哪种晶体发展办法,发展经过中容器、加热器、境遇空气以至衬底等城市引入杂质,这种处境称自掺杂•。晶体缺陷独揽也是通过独揽晶体发展条款(比如晶体边际热场对称性、温度晃动、境遇压力、发展速度等)来达成的•。跟着器件尺寸的日益缩幼,对晶体中杂质分散的微区不匀称和尺寸为原子数目级的细幼缺陷也要有所局限•••。是以怎样谨慎计划,庄重独揽发展条款以知足对半导体质料中杂质、缺陷的各式央浼是半导体质料工艺中的一个中央题目。

  个性参数。这些个性参数不但能响应半导体质料与其他非半导体质料之间的不同•,并且更厉重的是能响应各式半导体质料之间以至统一种质料正在不怜悯况下个性上的量的不同。常用的半导体质料的个性参数有:禁带宽度、电阻率、载流子迁徙率(载流子即半导体中出席导电的电子和空穴)、非平均载流子寿命、位错密度•••。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决意,响应构成这种质料的原子中价电子从牵造形态饱舞到自正在形态所需的能量。电阻率、载流子迁徙率响应质料的导电才能。非平均载流子寿命响应半导体质料正在表界影响(如光或电场)下内部的载流子由非平均形态向平均形态过渡的弛豫个性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷•。位错密度可能用来权衡半导体单晶质料晶格完善性的水准。当然,关于非晶态半导体是没有这一响应晶格完善性的个性参数的。

  晶体管对证料个性的央浼 :遵照晶体管的事务道理,央浼质料有较大的非平均载流子寿命和载流子迁徙率。用载流子迁徙率大的质料造成的晶体管可能事务于更高的频率(有较好的频率反应)。晶体缺陷会影响晶体管的个性以至使其失效•。晶体管的事务温度高温限决意于禁带宽度的巨细。禁带宽度越大,晶体管平常事务的高温限也越高。

  光电器件对证料个性的央浼:运用半导体的光电导(光照后增多的电导)功能的辐射探测器所合用的辐射频率鸿沟与质料的禁带宽度相合。质料的非平均载流子寿命越大,则探测器的矫捷度越高,而从光影响于探测器到发生反应所需的时光(即探测器的弛豫时光)也越长。是以,高的矫捷度和短的弛豫时光二者难于统筹。关于太阳能电池来说,为了取得高的转换效能,央浼质料有大的非平均载流子寿命和适中的禁带宽度(禁带宽度于1.1至1.6电子伏之间最适合)•。晶体缺陷会使半导体发光二极管半导体激光二极管的发光效能大为消浸。

  温差电器件对证料个性的央浼:为进步温差电器件的转换效能最先要使器件两头的温差大。当低温处的温度(日常为境遇温度)固按时••,温差决意于高温处的温度,即温差电器件的事务温度。为了符合足够高的事务温度就央浼质料的禁带宽度不行太幼,其次质料要有大的温差电动势率、幼的电阻率和幼的热导率。

  半导体质料个性参数的巨细与存正在于质料中的杂质原子和晶体缺陷有很大相干。比如电阻率因杂质原子的类型和数宗旨差异而恐怕作大鸿沟的转变,而载流子迁徙率和非平均载流子寿命

  日常随杂质原子和晶体缺陷的增多而减幼。另一方面•,半导体质料的各式半导体性子又离不开各式杂质原子的影响。而关于晶体缺陷,除了正在日常处境下要尽恐怕节减和消弭表,有的处境下也生气独揽正在必然的水准,以至当一经存正在缺陷时可能经历妥当的处分而加以运用。为了要到达对半导体质料的杂质原子和晶体缺陷这种既要局限又要运用的宗旨,须要生长一套造备合乎央浼的半导体质料的办法,即所谓半导体质料工艺。这些工艺大致可概述为提纯、单晶造备和杂质与缺陷独揽•。

  半导体质料的提纯“要紧是除去质料中的杂质。提纯办法可分解学法和物理法。化学提纯是把质料造成某种中央化合物以便编造地除去某些杂质,结果再把质料(元素)从某种容易阐明的化合物平星散出来。物理提纯常用的是区域熔炼工夫,即将半导体质料铸成锭条,从锭条的一端最先酿成必然长度的熔化区域。运用杂质正在凝结经过中的分凝形势,当此熔区从一端至另一端反复挪动多次后,杂质富集于锭条的两头。去掉两头的质料,剩下的即为拥有较高纯度的质料(见区熔法晶体发展)。其它另有真空蒸发、真空蒸馏等物理办法。锗、硅是也许取得的纯度最高的半导体质料,其要紧杂质原子所占比例可能幼于百亿分之一•。

  即是点接触二极管(也俗称猫胡子检波器•,即将一个金属探针接触正在一块半导体上以检测电磁波)。除了检波器以表,正在早期•,半导体还用来做整流器、光伏电池、红表探测器等,半导体的四个效应都用到了。

  从1907年到1927年,美国的物理学家研造告成晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜整流器。1931年,兰治和伯格曼研造告成硒光伏电池•。1932年,德国先后研造告成硫化铅••、硒化铅和碲化铅等半导体红表探测器,正在二战顶用于侦探飞机和船舰。二战时盟军正在半导体方面的商酌也博得了很大结果,英国就运用红表探测器多次侦探到了德国的飞机•。

  有关于半导体筑设墟市,半导体质料墟市历久处于副角的地点,但跟着芯片出货量增进••,质料墟市将仍旧延续增进,并最先开脱浮华的筑设墟市所带来的暗影。按贩卖收入计较,

  日本仍旧最泰半导体质料墟市的职位•。然而台湾、ROW、韩国也最先振兴成为厉重的墟市,质料墟市的振兴呈现了器件创筑业正在这些地域的生长。晶圆创筑质料墟市和封装质料墟市双双取得增进,来日增进将趋于松懈,但增进势头仍将仍旧。

  美国半导体物业协会(SIA)预测,2008年半导体墟市收入将挨近2670亿美元,接续第五年达成增进。无独有偶,半导体质料墟市也正在无别时光内接续改写贩卖收入和出货量的记实。晶圆创筑质料和封装质料均取得了增进•,估计本年这两部门墟市收入分歧为268亿美元和199亿美元•。

  日本陆续仍旧正在半导体质料墟市中的当先职位,打发量占总墟市的22%。2004年台湾地域高出了北美地域成为第二泰半导体质料墟市。北美地域落伍于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW蕴涵新加坡••、马来西亚、泰国等东南亚国度和地域。很多新的晶圆厂正在这些地域投资筑筑•,并且每个地域都拥有比北美更坚实的封装根源。

  芯片创筑质料占半导体质料墟市的60%,个中大部门来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆创筑质料的62%•。2007年全豹晶圆创筑质料,除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶••,都取得了强劲增进••,使晶圆创筑质料墟市总体增进16%。2008年晶圆创筑质料墟市增进相对平缓,增幅为7%。估计2009年和2010年,增幅分歧为9%和6%。

  半导体质料墟市爆发的最庞大的转变之一是封装质料墟市的振兴。1998年封装质料墟市占半导体质料墟市的33%•,而2008年该份额估计可增至43%。这种转变是因为球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地行使碾压基底和进步鸠集质料•。跟着产物便携性和功效性对封装提出了更高的央浼,估计这些质料将正在来日几年内取得更为强劲的增进。其它,金价大幅上涨使引线%的增进。

  与晶圆创筑质料彷佛,半导体封装质料正在来日三年增速也将放缓,2009年和2010年增幅均为5%,分歧到达209亿美元和220亿美元。除去金价成分,且碾压衬底不计入统计•,本质增进率为2%至3%。

  20世纪中叶•,单晶硅和半导体晶体管的创造及其硅集成电道的研造告成,导致了电子工业革命;20世纪70年代初石英光导纤维质料和GaAs激光器的创造,煽动了光纤通讯工夫敏捷生长并慢慢酿成了高新工夫物业,使人类进入了新闻时间。超晶格观点的提出及其半导体超晶格、量子阱质料的研造告成,彻底调度了光电器件的计划思思,使半导体器件的计划与创筑从“杂质工程”生长到••“能带工程”。纳米科学工夫的生长和行使,将使人类能从原子、分子或纳米标准水准上独揽••、摆布和创筑功效健旺的新型器件与电道•,深切地影响着全国的政事•、经济形式和军事分裂的式样,彻底调度人们的生涯式样。

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