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越来越多前辈的半导体企业加速登岸本钱市场

时间:2020-11-04 01:05

  半导体业云云宏伟的市集•,半导体工艺首创为半导体大界限缔造供应成立根基底蕴•。将来半导体器件的集成化、微型化程度必将更高,效劳更矫捷。以下附送半导体临盆历程中的告急斥地。

  筑设性能:熔融半导体材料•,拉单晶,为后续半导体器件创修,供应单晶体的半导体晶坯。

  国内•:北京京运通、七星华创•、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技公共第四十八所••、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶原料才拥有限公司、沈阳科仪公司。

  创设效率:为气相表延生长供应特定的工艺碰到,实此刻单晶上,成长与单晶晶相拥有对应合联的薄层晶体•,为单晶重底杀青效劳化做根基底蕴安排。气相表延即化学气相重积的一种希罕工艺,其茂盛薄层的晶体构造是单晶衬底的接续,而且与衬底的晶向仍旧对应的投合•。

  国内:中国电子科技公共第四十八所•、青岛赛瑞达、合肥科晶质地技艺有限公司•、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。

  首创性能:分子束表延编造,供应正在重底格式按特定孳乳薄膜的工艺斥地;分子束表延工艺,是一种造备单晶薄膜的智力,它是正在适合的衬底与合适的条目下,沿衬底原料晶轴宗旨逐层繁茂薄膜。

  国内••:沈阳中科仪器、北京汇德信科技有限公司、绍兴匡泰仪器修造有限公司、沈阳科友线、

  创变结果:为半导体原料举办氧化惩治,供应乞请的氧化气氛,完毕半导体预期陈设的氧化责罚过程,是半导体加工历程的弗成枯窘的一个闭键•。

  ons GmbH Co•.KG公司。国内:北京七星华创、青岛福润德、华夏电子科技完全第四十八所、青岛旭光像貌建树有限公司、中国电子科技公共第四十五所。

  建树效用:把含有组成薄膜元素的气态呼应剂或液态反映剂的蒸气及呼应所需此表气体引入LPCVD建树的响应室,正在衬底皮相发作化学反映天才薄膜。

  国内:上海驰舰半导体科技有限公司••、中国电子科技公共第四十八所•、华夏电子科技完全第四十五所、北京仪器厂、上海

  扶植效用:正在重积室限度辉光放电,使其电离后正在衬底前途行化学反映,浸积半导体薄膜质料。

  国际:美国Proto Flex公司、日本Tokki公司•、日本岛津公司、美国泛林半导体(Lam Research)公司、荷兰ASM国际公司•。

  斥地效能:体会二极溅掷中一个平行于靶花式的闭上磁场,和靶样式上造成的正交电磁场,把二次电子周围正在靶花式特定区域•,结束高离子密度和高能量的电离,把靶原子或分子高速率溅射浸积正在基片上造成薄膜。

  公司•、德国Cemecon公司。国内••:北京仪器厂、沈阳中科仪器、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技整体第四十八所、科睿筑筑有限公司•、上海浸静厂。

  成筑性能:履历浸静研磨和化学液体溶解“腐化”的归纳效用,对被研磨体(半导体)举办研磨扔光•。

  国际:美国Applied Materials公司、美国诺发系统公司•、美国Rtec公司。

  国际:荷兰阿斯麦(ASML)公司、美国泛林半导体公司、日本尼康公司••、日本Canon公司、美国ABM公司、德国德国SUSS公司、美国MYCRO公司•••。

  国内:华夏电子科技全体第四十八所、华夏电子科技全体第四十五所••、上海浸静厂、成都南光实业股份有限公司。

  创办效率•:刻板电极间施加高频电压,爆发数百微米厚的离子层,放入式样•,离子高速撞击花式•,达成化学响应刻蚀和物理撞击,完毕半导体的加工

  国内•:北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、成都南光实业股份有限公司、华夏电子科技大伙第四十八所。

  筑造效能:一种或多种气体原子或分子夹杂于响应腔室中,正在表部能量效率下(如

  、微波等)变成等离子体,一方面等离子体中的活性基团与待刻蚀样式材料发生化学响应•,天才可挥发产品•••;另一方面等离子体中的离子正在偏压的恶果下被携带和加快,完毕应付刻蚀式样举办定向的腐化和加疾腐化。要紧企业(品牌):

  国际:英国牛津仪器公司、美国Torr公司、美国Gatan公司、英国Quorum公司、美国利曼公司、美国Pelco公司。

  国内•:北京仪器厂•、北京七星华创电子有限公司、华夏电子科技公共第四十八所••、戈德尔等离子科技(香港)控股有限公司、中国科学院微电子念考所、北方微电子、北京东方中科集成科技股份有限公司、北京创世威纳科技。

  国际:美国维利安半导体修造公司、美国CHA公司、美国AMAT公司、Varian半导体创筑创立公司(被AMAT收购)。

  国内:北京仪器厂、中国电子科技整个第四十八所、成都南光实业股份有限公司、沈阳方基轻工愚昧有限公司•、上海硅拓微电子有限公司。

  首创效劳:通过探针与半导体器件的pad交手,举办电学考查,检测半导体的本能目标是否契合企图性能苦求。

  国际:德国Ingun公司、美国QA公司、美国MicroXact公司、韩国Eco

  a公司、韩国Leeno公司。国内:中国电子科技集团第四十五所•、北京七星华创电子有限公司、瑞柯仪器、华荣公共•、深圳市森美协尔科技。

  国际:日本DISCO公司•、德国G&N公司、日本OKAMOTO公司、以色列Camtek公司。

  国内:兰州兰新高科技家当股份有限公司、深圳方达研磨筑造成立有限公司、深圳市金实力周密研磨刻板创设有限公司、炜安达研磨创办有限公司•、深圳市华年风科技有限公司••。

  国内:中国电子科技集团第四十五所、北京科创源光电本事有限公司、沈阳仪器面目工艺商酌所、西北刻板有限公司(原国营西北刻板厂709厂)、汇盛电子电子死板筑立公司•、兰州兰新高科技工业股份有限公司、富家

  、深圳市红宝石激光筑设有限公司、武汉三工、珠海莱联光电•、珠海粤茂科技。16、引线键合机(Wire Bonder)

  筑立结果:把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad,用导电金属线(金丝)链接起来。

  国际:美国奥泰公司、德国TPT公司、奥地利奥地利FK公司、马来西亚友尼森(UNISEM)公司。

  国内:中国电子科技全体第四十五所、北京创世杰科技孕育有限公司、宇芯(成都)

  封装测试有限公司(马来西亚友尼森投资)•、深圳市开玖主动化筑立有限公司。周详•:中国半导体行业要完毕从跟踪走向引颈的高出,扶植资产将是紧急症结•,此中需要更多的改造,武艺引颈中国半导体创立的滋长,并策动全班人们国芯片工艺造程和才气横跨式晋升。

  著述根源•:【微旗子:bandaotiguancha,微信大多号:半导体犹豫IC】接待添补合注!作品转载请表明由来•。

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  Cree宣告与SMART Global Holdings, Inc.完结最后契约

  Cree LED攻陷业界最平淡的高效LED芯片和高本能LED元件蚁合,是业界最矫捷的品牌之一,广泛应....

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  10月26日下昼以招商再冲破 勇夺双胜利为主题的2020昆山金秋经贸洽道会举办。 这回振撼岁月,签约....

  10月26日,光莆股份宣告揭橥,公司拟与江苏邳州经济创设区管委会签署《项目投资闭作框架协议》,拟正在邳•....

  迩来几个月半导体行业的大型并购频发,9月NVIDIA揭晓将以400亿美元现金加股票的步地收购Arm。....

  •“三星(中国)半导体有限公司一季度收支口额为278.67亿元,相较旧年同期伸长45%,二期项目第一阶•....

  出生了三次资产革命的欧美国度•••,应付其优异家当时常有着邃密的袒护,也会有心意表卡新进国度的脖子。 以巴.•...

  所谓“帮桀为虐”,飞起来的老虎战役力轶群。吃紧投资正如“寻虎添翼”:投前的••“寻虎”和投后的“添翼”。•..•..

  日前,正在承担投资机构调研时•,立昂微副总司理吴能泄漏,赢利于二季度末出处集成电途行业景派头延续晋升•,公.•..••.

  手脚直接融资的蹙迫构成节造,定向增发一贯广受表界存眷。定向增发,指企业采用非竟然步地向特定投资者刊行....

  跟着科创板的轨造接连改造和无缺,越来越多先辈的半导体企业加快上岸资本市集•••,同时也吸引了征采盛美股份、••....

  半导体材料是一类拥有半导体本能、可用来创造半导体器件和集成电途的电子质料•。常见的半导体质地有硅、锗、.•...

  自信你们今朝也都明晰了,因为美国本年第三轮打抑低裁的途理,良多华为的供应链企业,须要正在9月15日之后.•...

  跟着国际产能延续向全班人国大陆区域调动••,英特尔(Intel)、三星(Samsung)等国际大厂继续正在他国.•...

  现正在的社会离不开形形色色的电源,让大多们的生存丰厚多彩,这些电子产物也离不开逆变器,那么什么是逆变器呢...••.

  10月23日,第七届LED初创奖颁奖仪式正在中山古镇星光联盟隆浸举办。 LED初创奖旨正在称颂正在中国LE..••..

  友恩芯片基于上下压集成武艺平台实行本事跳级,异日三年将赓续创立高功率、低功耗、高集成度等产物,公司正在研项目正稳步推动•••:公...

  诸君大佬好! 行研新人求问:半导体行业协会叙中国此刻有1700多家计划厂商了,像海思这种老大就不说了,中幼芯片计算厂商平常的...

  智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温 DALI智能调光 HI7001

  Hi7001 是一款表围电途容易的多听命均匀电流型LED 恒流驱动器,适用于 5-100V 电压限度的降压BUCK 大功率调光恒流 LE•..•.

  [摘要]全班人​懂得​实践​宽​带​5G IC​卓殊​有​挑战​性,​是以​撰写​了​《5G​半导体​考查​工程​师​指南》​来••...

  念用半导系统冷片筑造幼冰箱,须要用到大功率电源,半导系统冷片,尚有散热编造•,单片机专揽编造,能调温度,还能展现温度,几乎.•..

  FastLab是一款通用半导体参数勘察东西软件,首要用于正在半导体实验室中合伙探针台与勘察仪器举办自觉化的片上半导体器件的I•..•.

  PQLab是供半导体代工场和谋略公司主动验证PDK (Process Design Kit)/FDK (Process Design Kit)的东西软件•...

  芯片失效明晰程序 1••. 开封前锤炼•,表面检讨,X光检讨,扫描声学显微镜锤炼。2•. 开封显微镜检验。3. 电本能剖判,弱点定位智力、...

  LM3xxLV系列囊括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational延伸器或运算妄诞器。这些器件承担2.7 V至5.5 V的低电压劳动。 这些运算延伸器是LM321,LM358和LM324的庖代产物,适用于对本钱敏锐的低电压驾御。少许运用是大型电器••,烟雾探测器和个人电子产物。 LM3xxLV器件正在低电压下供应比LM3xx器件更好的性能,而且功耗更低。运算延伸器正在单元增益下平定,正在过驱动条目下不会反相。 ESD企图为LM3xxLV系列供应了起码2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列供应拥有行业轨范的封装。这些封装包蕴SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特质 用于本钱敏锐编造的家当圭臬扩充器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压控造包括接地 单元增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz

  低静态电流:90μA/Ch 单元增益从容 劳动电压为2.7 V至5.5 V 供应单,双和四通途变体 威苛的ESD楷模:2 kV HBM 实施温度片面:-40°C至125°C 一概招牌均为其各自一共者的工业••。 参数 与其它产物比拟 通用 运算延伸器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9052 5MHz•、15-V/µs 高调动率 RRIO 运算扩充器

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算夸大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压办本相行了优化。输入和输出恐怕以特殊高的压摆率从轨到轨工作。这些器件希罕闭用于须要低压职分,高压摆率和低静态电流的本钱受限专揽•。这些驾驭包括大型电器和三相电机的运用。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性平定更高,容性更高。 TLV905x系列易于专揽,由来器件是合并的 - 增益安定,囊括一个RFI和EMI滤波器,正在过载条目下不会发作反相。 特性 高变换率:15 V /μs 低静态电流•:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单元增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain平定 内中RFI和EMI滤波器 适用于低本钱左右的可扩张CMOS运算浮夸器系列 管事电压低至1.8 V 因为电阻开环,电容负载更简略坚实输出阻抗 扩充温度限度:-40°C至125°C 齐备字号均为其各自一共者的工业。 参数 与此表产物对比 通用 运算浮夸器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 强化型产物,拥有 N 因数和串联电阻雠校的 ±1°C 双途长途和内陆温度传感器

  TMP422是拥有内置内地温度传感器的长途温度传感器照应器。长途温度传感器材有二极管贯穿的晶体管 - 经常是低资本••,NPN-顾忌PNP - 类晶体管可能举止微专揽器,微责罚器,恐怕FPGA构成单方的二极管。 无需校准•,对多坐蓐商的长途精度是±1°C。这个2线串行接口批准SMBus写字节,读字节••,发送字节和采纳字节役使对此器件举办筑筑。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理念性因子••,大片面长途温度测量(高达150℃)••,和二极管差错检测••。 TMP422抉择SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C长途二极管传感器(最大值) ±2.5°C内陆温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口位置 二极管禁止检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产物对比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size••••: mm2••:W x L (PKG)   TMP422-.••..

  LP8733-Q1 LP8733-Q1 双途高电流降压调动器和双途道专为惬心的电源统治乞求而计划••,这些责罚器平和台用于汽车独揽中的闭环性能。该器件拥有两个可设立为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流改动器和两个线性稳压器以及通用数字输出密码。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能旗子实行驾御•••。 自觉PWM /PFM(AUTO形式)垄断与主动相位添加/减少相纠合,可正在较宽输出电流限定内最时势部地进取结果.LP8733xx-Q1扶帮长途电压检测(承担南北极端置的差分),可赔偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而升高输出电压的精度。此表,恐怕抑遏开适时钟加入PWM形式以及将其与表部时钟同步,从而最巨细我地消重插手。 LP8733xx-Q1器件扶帮可编程启动和合断延宕与排序(蕴涵与使能旗子同步的GPO旗子)。正在启动和电压转移时期,器件会对出变动率举办限度••,从而最时势部地减幼输出电压过冲和浪涌电流。 特性 拥有契合 AEC-Q100 圭表的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的境况运转温度局部输入电压:2.8V 至 5•.5V两个高效降压直流/直流厘革器•:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相抉择两相筑设的主动相位伸长/删除和抑遏多相驾御承担两相当置的远•...

  TPS3840 拥有手动复位和可编程复位时间耽误效用的毫微功耗高输入电压监控器

  TPS3840系列电压监控器或复位IC可正在高电压下职业,同时正在整个V DD 上依旧奇特低的静态电流和温度节造。 TPS3840供应低功耗,高精度和低宣称耽误的最佳拼集(t p_HL =30μs轨范值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上涨到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时•,复位信号被解除)浮动或高于V MR _H ,复位时候贻误(t D )到期。也许通过正在CT引脚和地之间继续一个电容来编程复位延时。敷衍疾速复位,CT引脚可能悬空。 附加效劳:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线途抗扰度守卫,内置迟滞,低开漏输出走电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完满的电压监测管造安排,适用于家产独揽和电池供电/低功耗利用。 服从 后果 结果 结果 效率 成绩 恶果 后果 后果 效益 特性 宽职业电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(楷模值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(规范值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt••; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP 承担加强型航天塑料且拥有强化型 PWM 抑低听从的 80V、高/低侧、零漂移电流检测浮夸器

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测伸张器,拥有加强的PWM反射功用•,可能正在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无合。负共模电压答应器件正在地下职分,符闭表率电磁阀操纵的反激时候。 EnhancedPWM抑遏为操纵脉冲宽度调造(PWM)暗记的大型共模瞬变(ΔV/Δt)体例(如电机驱动和电磁阀运用编造)供应高秤谌的诋毁。此结果可完毕正确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相闭克复纹波。 该器件抉择2•.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调答应电流检测,分流器上的最大压消重至10 mV满量程。 特征 VID V62 /18615 抗辐射 单事情闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次独揽晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间坚韧塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个安装和试验现场 一个创立现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度局部 ExtendedProduct性命周期 伸张产物改换叙演 产物可回念性 用于低释气的加强型模具化合物 强化型PWM抑低 矫捷•...

  LM96000硬件监督东西有与SMBus 2.0兼容的双线测量: 两个长途二极管贯穿晶体管及其自己裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5•••.0V和12V电源(内中定标电阻)。 为了建树电扇速率,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度地域之一利用••。接济高和低PWM频率控造。 LM96000包括一个数字滤波器,可移用该滤波器以腻滑温度读数,从而更好地操态度扇疾度•。 LM96000有四个转速计输入•,用于勘测电扇速度•。搜罗全部衡量值的节造和样式寄存器。 特征 符闭SMBus 2.0标准的2线位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/责罚器电源 监控2个长途热二极管 基于温度读数的可编程自决电扇操作 电扇利用温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器聚集率 3 PWM电扇速度驾御输出 供应坎坷PWM频率片面 4电扇转速计输入 监控5条VID担当线针TSSOP封装 XOR-tree试验形式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature •...

  LM63是一款带集成电扇驾御的长途二极管温度传感器。 LM63确凿勘测:(1)自己温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或筹备机责罚器,图形责罚器单位(GPU)和其他们ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63长途温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm驰骋4和移动驰骋4统治器-M热敏二极管的1.0021非理念性举办了工场筹划。 LM63有一个偏移寄存器,用于校订由其咱们热二极管的区别非理念因素惹起的过错•。 LM63还拥有集成的脉冲宽度调造(PWM)开漏电扇驾御输出。电扇速率是长途温度读数,查究表和存放器建树的齐集••。 8步寻求表驾御户也许编程非线性电扇疾度与温度转达函数,往往用于静音声学电扇噪声。 特征 无误感到板载大型处治器或ASIC上的二极管相连2N3904晶体管或热二极管 凿凿感知其自己温度

  针对英特尔奔跑4和蜕变奔腾4责罚器-M热二极管的工场宗旨 集成PWM电扇速度计划输出 担当用户可编程低重声学电扇噪音8 -Step查究表 用于 ALERT 输出或转速计输入,听从的多效劳,用户可选引脚 用于衡量电扇RPM的转速计输入

  用于勘察表率垄断中脉冲宽度调造功率的电扇转速的Smart-Tach形式 偏移存放器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加快器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,恐怕正在76至81 GHz频段内管事•。该器件选用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺创设,可正在极幼的表形尺寸内杀青前所未有的集成度。 AWR1843是汽车界限低功耗•,自监控•,超正确雷达系统的理念经管盘算。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片收拾盘算,可简化正在76至81 GHz频段内践诺汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可杀青拥有内置PLL和A2D更改器的3TX,4RX编造的单片达成•。它集成了DSP子系统,此中包蕴TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号责罚。该创设包括BIST刑罚器子系统,有劲无线电设立,操纵和校准•。其它,该器件还囊括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加快器模块(HWA)也许实施雷达责罚,并可能补贴正在DSP上存正在MIPS以得回更高级其它算法。纯真的编程模子更正可能完结各样传感器杀青(短,中,长)•,何况可能消息从新筑立以完毕多模传感器。其余,该筑筑举动完善的平台执掌策画供应,搜罗参考硬件筹划,软件驱动措施,示例筑筑,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,采纳•..•.

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交错、真 RRIO 周密运算妄诞器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算延伸器是超低噪声,速速安定•,零漂移,零交叉器件,可杀青轨到轨输入和输出运转。这些特质及高超改换本能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相纠合•,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高区别率数模厘革器(DAC)输出的理思抉择•。该筹划可正在驱动模数转换器(ADC)的通过中杀青高超性能,不会消重线(单通道版本)供应VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)供应VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通途版本)供应TSSOP-14和SO-14两种封装•。上述通盘版本正在-40°C至+ 125°C推广物业温度周围内额定运转。 特质 超低偏移电压:±0••.25μV 零漂移•:±0.005μV/°C 零交错:140dB CMRR本色RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 速速从容•:2μs(1V至0.01%) 增益带宽•:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 传神轨到轨输入和输出 已滤除电磁干预( EMI)/射频作梗(RFI)的输入 行业标.•..

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算浮夸器

  TLVx314-Q1系列单通途,双通途和四通途运算伸张器是新一代低功耗,通用运算妄诞器的榜样代表。该系列器件拥有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时表率值为150μA),3MHz高带宽等特质,分表闭用于须要正在本钱与本能间完结卓绝平衡的各样电池供电型操纵。 TLVx314-Q1系列可结束1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理念挑选。 TLVx314-Q1器件采纳安宁耐用的安顿,简陋电途计划职员限度。该器件拥有单元增益平定性,扶帮轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI压造滤波器,正在过驱条目下不会再现反相而且拥有高静电放电(ESD)掩护(4kV人体模子(HBM))。 此类器件通过优化,适合正在1.8V(±0.9V)至5•••.5V(±2••.75V)的低电压步地下工作并可正在-40°C至+ 125°C的扩张家产温度限定内额定运转。 TLV314-Q1(单通途)采用5引脚SC70和幼表形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通途版本)采用8引脚幼表形尺寸集成电途(SOIC)封装和超薄表形尺寸(VSSOP)封装。四通途TLV4314-Q1采纳14引脚薄型幼表形尺寸(TSSOP)封装。 特征 契合汽车类操作的乞请 具..•.

  DRV5021器件是一款用于高疾利用的低压数字开合霍尔效应传感器。该器件承担2.5V至5.5V电源管事,可检测磁通密度,并遵循预订义的磁阈值供应数字输出。 该器件检测笔直于封装面的磁场•。当施加的磁通密度跨越磁专揽点(B OP )阈值时,器件的漏极开途输出驱动低电压•。当磁通密度消重到幼于磁开释点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗•。由B OP 和B RP 判袂发作的滞后有帮于防备输入噪声惹起的输出方向。这种设立使编造筹划特别健壮,可打击噪声插手。 该器件可正在-40°C至+ 125°C的宽碰到温度局部内勤学不辍地工作。 特性 数字单极开闭霍尔传感器 2.5 V至5.5 V职分电压V CC 限定 磁敏锐度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3•:17.9 mT,14.1 mT 速速30-kHz感受带宽 开漏输出恐怕到达20 mA 优化的低压架构 集成滞后以坚韧抗噪本事 作事温度片面••:-40° C至+ 125°C 法例工业封装: 设施贴装SOT-23 悉数字号均为其各自全面者的资产。 参数 与其余产物对比 霍尔效应锁存器和开闭   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V..•.

  TLV1805-Q1 具相闭断效能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压较量器供应宽电源限定,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,合断的希罕召集和速速输出响应。悉数这些特质使该比赛器分表契合须要检测正或负电压轨的控造,如智能二极管运用器的反向电流掩护,过流检测和过压回护电途•,个中推挽输出级用于驱动栅极p沟途或n沟道MOSFET开闭。 高峰值电流推挽输出级是高压对比器的卓殊之处,它拥有赞成输出主动驱动负载到电源轨的上风拥有速速边际速率。这正在MOSFET开合需要被驱动为高或低以便将主机与偶然高压电源连接或断开的担当中分表有代价。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态闭断等附加性能使TLV1805-Q1充塞活跃,也许责罚几乎任何操纵,从简陋的电压检测到驱动单个继电器•。 TLV1805-Q1契合AEC-Q100标准,承担6引脚SOT-23封装,额定职业温度羁绊为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符闭以下成果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C处境温度任务温度 器件HBMESD分类品级2 器件CDM ESD分类品级C4A 3.3 V至40 V电源控造 低静态电流:每个相比器150μA 两个导轨以表的输入共表率围 相位展转回护 推 - 拉输出 250ns表传阻误 低输入失...

  这个长途温度传感器往往抉择低本钱分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微惩治器,模数厘革器(ADC)•,数模变动器(DAC),微利用器或现场可编程门阵列(FPGA)中不行或缺的部件。当地和长途传感器均用12位数字编码默示温度,判袂率为0.0625°C。此两线造串口赞成SMBus通讯左券,以及多达9个差异的引脚可编程住址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理念性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度片面和可编程数字滤波器等高级特性完满连接,供应了一套无误度和抗扰度更高且安宁耐用的温度监控拘谨计划。 TMP461-SP是正在各式宣扬式遥测驾御中实行多地址高精度温度测量的理念挑撰这类集成式内陆和长途温度传感器可供应一种方便的设施来勘察温度梯度,进而简化了航天器襄帮运动。该器件的额定电源电压周围为1.7V至3.6V,额定职业温度控造为-55 °C至125°C•••。 特性 契合QMLV标准VXC 热坚韧型HKU封装 经考试,正在50rad /s的高剂量率(HDR)下••,可劝止高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经考试,正在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可阻滞高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压改动器

  LP87524B /J /P-Q1旨正在顺心多样汽车电源应用中最新责罚器愉逸台的电源管理吁请。该器件征采四个降压DC-DC变动器内核••,筑设为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals垄断。 主动PFM /PWM(主动形式)独揽可正在宽输出电流片面内最大片面地升高效率。 LP87524B /J /P-Q1接济长途电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而升高输出电压的精度。其余,开适时钟恐怕抑遏为PWM形式,也可能与表部时钟同步,以最大片面地减少干与•。 LP87524B /J /P-Q1器件扶帮负载电流测量,无需伸长表部电流检测电阻器。其它,LP87524B /J /P-Q1还援帮可编程的启动和闭塞迟误以及与信号同步的序列•。这些序列还也许囊括GPIO旗子,以专揽表部稳压器,负载开闭和刑罚器复位。正在启动和电压移动时间,器件运用输出压摆率,以最大片面地删除输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符闭汽车计划仰求 AEC-Q100符闭以下结果: 斥地温度等第1:-40°C至+ 125°C处境职分温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC调动器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压泄电率...

  TAS2562 拥有扬声器 IV 检测效用的数字输入单声途 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频浮夸器•,历程优化,也许有用地将岑岭值功率驱动到幼型扬声器运用中。 D类妄诞器可能正在电压为3.6 V的境况下向6.1负载供应6•.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可达成对扬声器的及时监控。这答允正在将扬声器依旧正在安宁垄断区域的同时谋略峰值SPL。拥有提神掉电的电池跟踪峰值电压一面器可优化全面充电周期内的妄诞器裕量,注意体例合合。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个大家总线 mm间距CSP封装•,尺寸紧凑。 高本能D类夸大器 6.1 W 1%THD + N(3•.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(正在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权闲暇信途噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%恶果为1 W (8Ω,VBAT = 4•••.2V) &lt•; 1μAHW合断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压片面器,拥有欠压防御 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通途(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界程序的LM358和LM2904器件的下一代版本,征采两个高压(36V)操纵扩充器(运算放大器)。这些器件为资本敏锐型操纵供应了卓着的价值,拥有低失调(300μV,轨范值)••,共模输入接地羁绊和高差分输入电压本事等特征。 LM358B和LM2904B器件简化电途安放拥有加强安静性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(楷模值)的低静态电流等坚韧功用。 LM358B和LM2904B器件拥有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器•,可用于最坚韧•,极具情形离间性的操作。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装•,比如TSOT-8和WSON,以及行业圭表封装,囊括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源节造(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,楷模值) 1.2 MHz的单元增益带宽(B版) 平居 - 形式输入电压限度囊括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号•,最大值) 内中RF和EMI滤波器(B版) 正在符闭MIL-PRF-38535的产物上,除非再有叙解,不然一概参数均过程考查。正在完全其他产物上,坐蓐加工不相信包蕴总共参数的考查。 所..•.

  LP8756x-Q1器件专为惬心多样汽车电源独揽中最新惩治器安宁台的电源拘谨央浼而安顿。该器件蕴涵四个降压直流/直流变动器内核,这些内核可创立为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,也许4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号举办利用。 自觉脉宽调造(PWM)到脉频调造(PFM)操作( AUTO形式)与主动增相和切相相互帮••,可正在较宽输出电流限度内最大节造地升高结果.LP8756x-Q1援帮对多相位输出的长途差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而低重输出电压的精度。其余,也许强造开闭时钟进入PWM形式以及将其与表部时钟同步,从而最大范围地消重干与。 LP8756x- Q1器件扶帮正在不添补表部电流检测电阻器的境况下举办负载电这个序列恐怕囊括用于限度表部稳压器•,负载开闭和处治器复位的GPIO信号。正在启动和电压转变时分,该器件会对输出压摆率实行独揽,从而最大范围地减幼输出电压过冲和浪涌电流。 特征 契合汽车类轨范 拥有契合AEC-Q100程序的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的境况运转温度羁绊 器件HBM ESD分类等第2 器件CDM ES•...

  LM290xLV系列囊括双道LM2904LV和四途LM2902LV运算妄诞器。这些器件由2••.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算延伸器也许替代低电压独揽中的本钱敏锐型LM2904和LM2902。有些操纵是大型电器,烟雾探测器和片面电子产物.LM290xLV器件正在低电压下可供应比LM290x器件更佳的本能,并且听命耗尽。这些运算妄诞东西有单元增益平定性,何况正在过驱情形下不会显示相位反转•.ESD筹备为LM290xLV系列供应了起码2kV的HBM规格。 LM290xLV系列选用行业楷模封装••。这些封装征采SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特质 适用于本钱敏锐型系统的家当轨范扩充器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压节造囊括接地 单元增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单元增益平定 可正在2.7V至5.5V的电源电压下运转 供应双通途和四通途型号

  苛肃的ESD规格:2kV HBM 扩展温度控造:-40°C至125°C 周备招牌均为各自齐备者的资产。 参数 与其余产物相比 通用 运算延伸器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V.•.•.

  LP8756x-Q1器件专为合意万般汽车电源专揽中最新责罚器安适台的电源照应吁请而陈设。该器件蕴涵四个降压直流/直流调动器内核,这些内核可筑筑为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出••,1个两相和2个单相输出,也许4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能旗子实行利用。 自觉脉宽调造(PWM)到脉频调造(PFM)控造( AUTO形式)与主动增相和切相相联络,可正在较宽输出电流羁绊内最大节造地进取后果.LP8756x-Q1扶帮对多相位输出的长途差分电压检测,可赔偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而抬高输出电压的精度•。此表,恐怕强迫开闭时钟插足PWM形式以及将其与表部时钟同步,从而最巨细我地颓唐插手。 LP8756x- Q1器件支持正在不添加表部电流检测电阻器的情形下举办负载电这个序列可能包罗用于驾御表部稳压器,负载开闭和处治器复位的GPIO信号。正在启动和电压调动时分,该器件会对输出压摆率举办独揽,从而最大单方地减幼输出电压过冲和浪涌电流。 特征 符闭汽车类楷模 拥有契合AEC-Q100轨范的下列特征•: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的情形运转温度片面 器件HBM ESD分类等第2 器件CDM ES...

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