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热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化

时间:2020-10-08 23:50

  衡量透后、半透后薄膜厚度的主流法子,它采用偏振光源发射激光,当光正在样本中爆发反射时,会出现椭圆的偏振。椭偏仪通过衡量反射取得的椭圆偏振,并勾结已知的输入值正确谋划出薄膜的厚度,是一种非伤害性、非接触的光学薄膜厚度测试技巧。正在晶圆加工中的注入、刻蚀清静整化等极少需求及时测试的加工次序内,椭偏仪可能直接被集成到工艺筑设上,以此确定工艺中膜厚的加工尽头。

  衡量不透后薄膜厚度。因为不透后薄膜无法操纵光学道理举行衡量,是以会操纵四探针仪器衡量方块电阻,按照膜厚与方块电阻之间的干系间接衡量膜厚。方块电阻可能了解为硅片上正方形薄膜两头之间的电阻,它与薄膜的电阻率和厚度闭系,与正方形薄层的尺寸无闭。四探针将四个正在一条直线高等隔断睡觉的探针依序与硅片举行接触,正在表面的两根探针之间施加已知的电流,同时测得内侧两根探针之间的电势差,由此便可取得方块电阻值。

  衡量掺杂浓度。热波体系通过衡量聚焦正在硅片上统一点的两束激光正在硅片表貌反射率的变更量来谋划杂质粒子的注入浓度。正在该体系内,一束激光通过氩气激光器出现加热的波使硅片表貌温度升高,热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数爆发变更,这一变更量正比于硅片中由杂质粒子注入而出现的晶体缺陷点的数量。由此,衡量杂质粒子浓度的热波信号探测器可能将晶格缺陷的数量与掺杂浓度等注入条目闭联起来,描画离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。

  套准精度衡量筑设。干系探测显微镜首假若操纵干系光的干预道理,将干系光的相位差转换为光程差。它或许得到沿硅片笔直对象上硅片表貌的图像讯息,通过干系光的干预图形可能折柳出样品内部的杂乱组织,巩固了CMP后低对照度图案的套刻成像技能。

  速捷定位表貌缺陷。光学显微镜运用光的反射或散射来检测晶圆表貌缺陷,因为缺陷会导致硅片表貌不屈整,进而发挥出对光差异的反射、散射效应。按照对收到的来自硅片表貌的光信号举行治理,光学显微镜就可能定位缺陷的地方。光学显微镜拥有高速成像,本钱经济的特征,是目前工艺下的一种首要的缺陷检测技巧。

  对缺陷举行精准成像。扫描电子显微镜的放大倍数或许抵达百万倍,或许供给尺寸更幼缺陷的讯息,其放大机能光鲜高于光学显微镜。扫描电子显微镜通过波长极短的电子束来扫描硅片,通过搜罗饱舞和散射出的二次电子、散射电子等造成硅片表貌的图形,并取得差异资料间明显的因素对照。

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