欢迎访问我们的官方网站!

一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业

17年专业经验 前沿技术研发新产品

芯派科技咨询热线:

029-88251977

行业动态

芯派科技

微信公众号

同比下降10.61%

时间:2020-10-08 23:49

  从2018下半年发轫,以存储器为代表的半导体行业进入了下行周期,极端是到了2019上半年,财产的各项数据同比都显示了大幅下滑。是以,有不少业内人士预言,2019年将是半导体行业过去10年当中最差的年份,从各项数据来看,2019终年悉数财产只可告终同比薄弱拉长,乃至正在极少细分范围显示负拉长这一根基面是不会爆发大的转变了。

  可是,将2019下半年与上半年做一下斗劲,或者再细分一下,将上半年Q2的发扬处境与Q1做一下斗劲,能够看出,环球半导体财产显示了明白的回暖迹象,能够说,本年的Q3或Q4,很可以是悉数财产发扬的拐点。

  7月,环球半导体发售额333.7亿美元,同比低重15.5%,降幅环比6月收窄了1.3个百分点。9月4日,费城半导体指数收盘于1519.552,上涨0.97%。9月5日,台湾电子行业指数收盘于450.23,上涨1.61%。这些都正在差异水平上讲明半导体发售额的回暖迹象。

  下面,咱们就以半导体配置、晶圆代工,以及封测这三大板块为例,看一下财产回暖的简直表示。之于是以这三个板块为例,起首是由于半导体业分工昭着,笔直化水平很高,这三个板块拥有较强的代表性;其次,它们都是重资产范围,所表示出的行业状态是实实正在正在的,相对待轻资产范围,愈加有说服力;再者,这三大板块的“垄断”水平相对较高,各自的墟市首要都被行业的前10,乃至是前5大企业所垄断,墟市聚会度高,相应的数据可以愈加直观地表示悉数范围的状态。

  据统计,北美半导体配置造作商7月出货金额为20.34亿美元,环比拉长1%,同比下滑15%,下滑幅度较本年1~6月明白减幼。

  来自中银国际证券的统计数字显示,环球前12家半导体配置上市企业,二季度收入为144 亿美元,同比低重16%,环比低重6%。但以Applied Materials(利用原料)、ASML、KLA、Teradyne、Advantest等为主的龙头企业第二季度收入均呈环比正拉长态势。

  估计Applied Materials、ASML第三季度的收入将接续环比上升,此中,Applied Materials第三季度收入希望到达36.85亿美元,云云的线%摆布。ASML方面,估计该公司本年第三季度收入30亿欧元,环比拉长17%。而日本的TEL第三季度收入约为25.5亿美元,环比拉长30%。

  据统计,12家公司第二季度的毛利率环比上升1.3个百分点,到达45%,节余才具也正在稳步回升,此中,利用原料、ASML、Lam Resrach、Nanometrics、Cohu、Advantest、Disco等毛利率触底回升,估计ASML的毛利率将从第一季度的41.6%、二季度的43%,接续上升至第三季度的43%~44%。

  目前,中国大陆依然赶过韩国,成为环球第二泰半导体配置消费墟市,仅次于中国台湾地域,这给我国脉土的半导体配置厂商带来了绝佳的发扬机缘。

  目前,正在A股半导体配置上市公司中,造程工艺配置代表企业是中微半导体和北方华创,它们的年度营收都正在1亿美元以上。本年上半年,中微半导体收入8亿元国民币,同比拉长72%,净利润同比拉长329%;北方华创收入10亿元,同比拉长40%;盛美半导体收入4949万美元,同比拉长62%。

  因为晶圆代工与IC策画业联系严密,是以,正在IC策画企业的运营状态好转的处境下,晶圆代工场的产能愚弄率也正在慢慢擢升。统计显示,本年第二季度,环球晶圆代工业的产值环比增长了9%,到达145亿美元。

  正在半导体例作投资中,存储器厂和晶圆代工场是两大热门,吸取的财产资金最多。而IC Insights估计,2019年存储器财产血本开销占半导体总血本开销将大幅低重,占悉数财产的比例,将由2018年的49%,低重至43%,晶圆代工将庖代存储器,成为2019年半导体最大的血本开销子行业。

  SEMI的统计讲述显示,估计2020年环球新晶圆厂创办投资总额将达500亿美元,比拟2019年增长120亿美元。SEMI估计今岁终环球将有15座新晶圆厂开修,总投资额达380亿美元。2019年开工创办的新晶圆厂,最疾正在2020年上半年加装配置,年中投产。估计正在将来每月新增晶圆产能赶过74万片,大局限聚会于晶圆代工,占比37%。

  从IC Insights和SEMI的统计和预测处境来看,本年下半年和来岁,晶圆代工对半导体例作投资的吸引力相当强劲,这些使得晶圆代工业的回温紧跟半导体配置。

  该统计显示,预估第三季度环球晶圆代工总产值较第二季度拉长13%。当然,这种拉长态势是由两方面的要素决策的:一是下半年是悉数电子半导体财产的守旧旺季,凡是处境下,财产情景会好于第二季度;二是悉数晶圆代工业透露出了回暖的迹象,极端是以前文提到的投资处境来看,对其有很强的拉动效用。

  通过比拟第三季度和第二季度前10家厂商的营收同比拉好处境能够看出,排名前5厂商正在第三季度的营收同比拉好处境,明白好于第二季度的,这也从一个侧面讲懂得晶圆代工业的回暖迹象。当然,这里也包括时令性摇动要素,但归纳前文的财产投资处境,总体向好的趋向是没有题方针,况且第四时度好于第三季度也非凡值得等待。

  以台积电为例,动作行业垂老,其正在本年上半年的功绩受财产大境遇影响,表示同样不佳。但到了8月,处境显示了喜人的转变,该公司8月营收冲破千亿新台币,造造了史书最佳单月营收记载,况且环比大增25.2%,同比增16.5%。台积电估计Q3功绩将告终环比拉长17%~18%,而接下来的Q4会比Q3更好,墟市估计台积电Q4营收环比增幅正在12%~13%摆布。

  中芯国际和华虹半导体是中国大陆的龙头企业,据统计,这两家正在本年上半年的均匀营收为66.18亿元,同比低重6.52%,均匀净利润范畴为2.44亿元,同比低重56.56%;2019年 Q2营收为37.18亿元,同比低重3.19%,但环比增长10.74%,净利润为2.19亿元,同比低重35%,但环比增长21%。可见,这两家晶圆代工场正在本年第二季度依然显示了回暖迹象。

  动作悉数半导体财产链的最终一环,封测业的毛利率相对来说是斗劲低的,云云,正在财产大境遇不景气的处境下,该闭头受到的袭击相应也是最大的,极端是对待中国脉土的四大封测龙头企业(长电科技,华天科技,通富微电,晶方科技)来说,度过上半年是很贫穷的。

  来自中泰证券的统计显示,这四家封测企业正在本年上半年的均匀营收范畴为41.94亿元,同比低重10.61%,均匀净利润范畴为-0.57亿元,同比低重683%,首要受长电科技低重影响较大。它们Q2营收为1.15亿元,同比低重15.71%,但环比增长19.90%,净利润为0.37亿元,同比低重1010%,但环比增长132.5%,环比增长明白的是华天科技和晶方科技。节余质地方面,四家Q2均匀毛利率上升16.56%,同比擢升了2.6个百分点。

  投资方面,长电科技正在2019半年报中披露,将追加固定资产投资6.7亿元国民币,接续实行产能扩充,这也表示了该公司正在功绩于上半年触底之后,确信墟市处境将正在2019下半年迎来进展的决意。

  而从环球来看,前10大封测企业的营收也正在第一季度49亿美元的根蒂上增长了约7%,到达52.6亿美元。

  从配置、晶圆代工和封测这三泰半导体重资产范围的营收和投资处境来看,本年Q2依然显示了回暖或苏醒的迹象,正在云云的发扬态势下,环球半导体业将正在本年Q3或Q4迎来拐点绝非虚道,2020年更值得等待。

  近年来气体传感器较为引人闭怀,一是本年国六排放准绳使得汽车尾气排放墟市升至千亿元,气体传感器厂商迎来....

  可编程限造器也即PLC,正在自愿化行业,可编程限造器占领着厉重位子。对待可编程限造器,幼编正在往期著作中....

  今天,据海表媒体报道,本年遇到新冠疫情,浩瀚企业的终年安放均受到了差异水平的影响,出货量裁减、营收降....

  水和蒸汽是热力体系中的汽锅、汽轮机、过热器等配置的厉重就业介质。当火力发电厂寻常运转时,热力配置中都....

  (2)正在有DMA限造器的体系和多管理器体系中,有多个部件能够拜访主存。这时,可以此中有些部件是直接访....

  正在存储范围,容量大、速率疾和价钱低是用户的期待主意,但就现有的存储器而言,速率越疾的存储器,容量越幼....

  9月15日,针对华为的第三波禁令生效之后,大局限半导体公司都没法接续对华为供货了,目前只消AMD和I....

  据财产链最新称,为了不变自身晶圆代工龙头的位子,台积电正正在强化打造自己供应链,云云能够比竞赛敌手更疾....

  诸君大佬好! 行研新人求问:半导体行业协会说中国现正在有1700多家策画厂商了,像海思这种垂老就不说了,中幼芯片策画厂商凡是的...

  面临来自美国的强壮压力,华为正加大对国内科技行业的投资,征求增持半导体和其他科技公司的股份,以维持其....

  特色 双通道,1024职位区别率;25 kΩ,250 kΩ标称电阻;最大±8%标称电阻公差偏差;低温系数:35ppm/℃;2.7 V至5 V单电源或...

  第二阶段是20世纪70年代发轫,固体型传感器渐渐发扬起来,这种传感器由半导体、电介质、磁性原料等固体....

  我不晓得,这么宏大音讯为什么没有一家官方媒体报道。 是太敏锐,仍是由于没有流量代价? 1. 千亿弘芯....

  PLC是一种工业限造配置, 纵然正在牢靠性方面接纳了很多程序, 但就业境遇对PLC影响仍是很大的。于是....

  M5563是一款高集成、高效力低能耗的电流形式PWM限造芯片利用于高功能、高转化率低本钱、软启动形式....

  光刻机一名:掩模瞄准曝光机,曝光体系,光刻体系等,是造作芯片的焦点配备。它采用雷同照片冲印的身手,把....

  2020年9月25日,由环球电子科技范围专业媒体电子发热友举办的2020中国模仿半导体大会告捷实行。....

  然而张竞扬也坦言,目前的现象下,半导体行业还没有足够的意图上云,但对待中幼型企业来说,假若能够以极低....

  假若板将要正在高湿度境遇中应用,则该当正在相应湿度的境遇中实行测试。开采板并非面向高湿度利用而策画。印刷....

  DARPA最终祈望这些切磋成效可以让美国军方可以获得适合的芯片以应对日益繁复的通信、观察和军械体系。....

  中国半导体论坛 复兴国产半导体财产! 宇宙的眼神再次聚焦正在这里!9月26日至27日,2020中国(海....

  正在针对繁复 TO 的出产配置内中,MRSI-H-TO 配置能够来到业界当先的 1.5 微米的精度。贴....

  该模子基于假念的5nm芯片,该芯片巨细为Nvidia P100 GPU(610 平方毫米,907亿个....

  比亚迪从2002年进入半导体范围,历程近20年勤苦,除了依然为人所熟知的IGBT、SiC功率器件以表....

  华润微的史书可追溯至香港华科电子公司。1983年,华润集团与原四机部、七机部、表经贸部结合正在香港设立....

  此工艺与准绳芯片造作之间的最大区别之一是数目。D-Wave的大大都芯片都位于其自身的配置中,而且能够....

  集微网通过阐发A股墟市112家半导体公司的公然财报消息,摒挡宣布中国芯上市公司应付账款周转天数排行榜....

  良多竞赛实在正在几年前就依然发轫了,以下是极少闭头实情: 1、为了应对数据中央中,越来越多的GPU被A....

  将智能化移至周围配置(终端)能够使体系拥有更好的及时功能、更好的功率成果和加强的安宁性。可是,更多的....

  通用FPGA架构由三品种型的模块构成。它们是I / O块或焊盘,开闭矩阵/互连线和可装备逻辑块(CL....

  这些优异个性以亘古未有的易用性为定造ASIC产物供给了低本钱的可编程替换计划。Spartan-6 F....

  跟着汽车电子架构的演进,以太网将洪量利用,将来最贵的车载半导体将是搜集界面IC(首如果PHY)和以太....

  目前,台积电的2nm工艺依然提上日程。这边,咱们一般用户还没有效上5nm芯片的智老手机。而那处,台积....

  据《信报》网站9月28日报道,日本正正在研究倡议美国、德国、英国、荷兰等41国联合互帮,设立新的出口管....

  文|James 集微网新闻,9月22日,赛微电子宣布投资者调研举止记载表。近年来,面向基于高频通讯的....

  一方面是有低重电动车本钱的需求,一方面是万万辆销量的野心,马斯克以为,目前控造其电动车产量的瓶颈是电....

  彰彰比尔盖茨现现在的预言正正在一点一点的告终,这也是由于受到特朗普的打压从此中国企业依然认识到必需控造....

  9月23日新闻,据海表媒体报道,正在此前的报道中,财产链人士曾多次吐露8英寸晶圆代工商产能危殆,正正在考....

  无须置疑,第三代半导体近来真的很火。闭系股市板块逆势而上,据同花顺iFinD数据,26只第三代半导体....

  实情上,因为9月15日禁令的实践,三星、SK海力士等内存厂商都依然罢手向华为供货,而美光也证据了这一....

  针对电源策画的研发需乞降墟市反应,泰克为行业供给全流程测试计划。从初期的器件采取到最终的产物认证多个....

  总体说来,但凡实践应用中的有源电道中往往都有半导体晶体管。正在各色各样的电子全国中,晶体管是绝大局限电....

  凡是来说,不成樊篱中缀不行被中缀记号答允位(GIE)所樊篱。该系列有两种级其它不成樊篱中缀(NMI)....

  然而,因为日本正在原料端厚实的贸易竞赛力,将来5G境遇下原料正在电道板将饰演更厉重的决策性脚色,以目前日....

  固然纯硅的导电率低,可是有一个叫DOPING的身手能够擢升半导体的导电率,例如说你注入价电子为5的磷....

  AT91RM9200是Atrnel公司出产的一款工业级ARM9管理器,内嵌ARM920T ARM T....

  动作新原料的SiC与守旧硅原料比拟,从物理个性来看,电子迁徙率相差不大,但其介电击穿场强、电子饱和速率、

  急需减省时辰并管理产物开采历程中遭遇的题目,这导致近年来环球PCB策画软件墟市发扬到一个新的高度。此....

  后台二氧化硅薄膜拥有硬度大、防腐化性、耐滋润性和介电功能强等益处,是以二氧化硅薄膜正在半导体行业中能够....

  为促进半导体的国内出产,美国正发轫商酌新参加250亿美元(约合国民币1706亿元)范畴的补贴。 对待....

  本年7月上市的比亚迪旗舰车型“汉”,是国内首款批量搭载SiC 功率模块的车型。成亲这一电控体系的后电....

  写入FRAM的零时钟周期延迟 一个表率的EEPROM须要5毫秒的写周期时辰,以将其页面数据挪动到非易失性EEPROM内...

  正在本文中,咱们将先容一种新型的非易失性DRAM,以及它与目前内安身手的斗劲。 DRAM是揣测身手中必不成少的组件,但并...

  记载数据的牢靠性,日常只研究到猛然掉电、写入不统统等,往往轻视了存储器件的应用寿命。存储器件的擦除次数寿命是行业公认...

  历程赶过八年的MRAM研发,Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM贸易配置。该器件采用256K x 16位装备(图1),并具...

  很多供应商供给专为NVRAM应用的现成文献体系软件。除非央浼某些特意成效,不然开采职员自行策画正在经济上会所爆发的题目。数...

  智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温 DALI智能调光 HI7001

  Hi7001 是一款表围电道浅易的多成效均匀电流型LED 恒流驱动器,合用于 5-100V 电压边界的降压BUCK 大功率调光恒流 LE...

  ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景挪动利用法式的平板电脑和智老手机

  准绳的参数摸索 易于拜访密钥产物参数 部件号摸索用于直接拜访特定的产物 数据表的下载离线接头 来采样和采办 最喜好的局限数字统治 产物成效分享通过电子邮件或社交媒体 合用于Android™或iOS™操作体系 正在Wandoujia利用法式商铺,为中国用户供给 正在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS配置上应用的手机利用法式供给通过正在线产物组合中的一个用户友谊的替换摸索,驱动用户应用以及便携式配置成功和浅易的导航体验。参数摸索引擎答允用户敏捷识别出最适合其利用适合的产物。此利用法式可正在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...

  ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产物查找法式

  ,零件编号和产物 身手数据表下载和离线接头一系列的摸索成效 拜访首要产物规格(首要电气参数,产物凡是讲明,首要特质和墟市位子) 对产物和数据表保藏栏目 可以通过社交媒体或通过电子邮件共享身手文档 可正在安卓™和iOS™利用商铺 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的利用法式,它能够让你寻找应用便携式配置的ST二极管的产物组合。您能够轻松地界说配置最适合应用参数或一系列的摸索引擎利用法式。您还能够找到你的产物因为采用了高效的零件号的摸索引擎。...

  ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产物的取景器为Android和iOS

  开导摸索 局限号码摸索才具 首要产物成效展现 数据表下载和离线接头 产物成效分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产物的 主屏幕上的措辞采取 ST-EEPROM-FINDER是寻找意法半导体串行EEPROM组合最疾和最明智的办法应用智能电话或平板。

  ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景挪动利用法式的平板电脑和智老手机

  或产物号的产物摸索才具 身手数据表下载和离线接头 拜访首要产物规格(首要电气参数,产物凡是讲明,首要特质和墟市位子) 对产物和数据表 可以通过社交媒体或通过电子邮件共享身手文档 合用于Android保藏节™和iOS™利用商铺 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的利用法式,它能够让你寻找的ST功率MOSFET产物组合应用便携配置。您能够轻松地界说配置最适合应用参数摸索引擎利用法式。您还能够找到你的产物因为采用了高效的零件号的摸索引擎。...

  ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产物查找用于挪动配置

  于Android和iOS电话挪动利用 友谊的用户界面 的直观的产物的采取: MEMS和传感器 评估东西 利用 参数摸索应用多个过滤器 部件号摸索 拜访身手文档 从ST经销商正在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜好的局限数字统治体验分享 扶帮的措辞:英语(中国,日本和韩国即将推出) 正在ST-SENSOR-FINDER供给挪动利用法式的Android和iOS,供给用户友谊的替换通过MEMS和传感器搜集产物组合摸索,驱动用户沿道成功和浅易的导航体验。...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源管理计划同步降压限造器,2A LDO,缓冲参考

  消息描绘 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  消息上风和特质 单通道、1024位区别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(互换或双极性就业形式) I2C兼容型接口 游标创立和存储器回读 上电时从存储器改革 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产物详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界当先的可变电阻功能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既能够采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标创立可通过I²C兼容型数字接口限造。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可实行无尽次调治。AD5175不须要任何表部电压源来帮帮熔断熔丝,并供给50次很久编程的时机。正在50-TP激活光阴,一个很久熔断熔丝指令会将电阻职位固定(雷同于将环氧树脂涂正在呆滞式调治器上)。AD5175供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。确保就业温度边界为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  消息上风和特质 单通道、1024位区别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(互换或双极性就业形式) SPI兼容型接口 游标创立和存储器回读 上电时从存储器改革 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产物详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界当先的可变电阻功能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既能够采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标创立可通过SPI数字接口限造。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可实行无尽次调治。AD5174不须要任何表部电压源来帮帮熔断熔丝,并供给50次很久编程的时机。正在50-TP激活光阴,一个很久熔断熔丝指令会将电阻职位固定(雷同于将环氧树脂涂正在呆滞式调治器上)。AD5174供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。确保就业温度边界为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,拥有20次可编程存储器

  消息上风和特质 单通道、256/1024位区别率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差偏差(电阻功能形式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲清楚更多个性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度边界:−55°C至+125°C 受限造作基线 独一封装/测试厂 独一造作厂 加强型产物更动通告 认证数据可应央浼供给 V62/12616 DSCC图纸号产物详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界当先的可变电阻功能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件可以正在宽电压边界内就业,扶帮±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差偏差幼于1%,并拥有20次可编程(20-TP)存储器。业界当先的确保低电阻容差偏差个机能够简化开环利用,以及严谨校准与容差成亲利用。AD5291和AD5292的游标创立可通过SPI数字接口限造。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可实行无尽次调治。这些器件不须要任何表部电压源来帮帮熔断熔丝,并供给20次很久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,拥有20次可编程存储器

  消息上风和特质 单通道、256/1024位区别率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻功能形式) 20次可编程 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 温度系数(分压器形式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲清楚更多个性,请参考数据手册 产物详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,划分是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界当先的可变电阻功能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的就业电压边界很宽,既能够采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也能够采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差偏差幼于1%,并供给20次可编程(20-TP)存储器。业界当先的确保低电阻容差偏差个机能够简化开环利用,以及严谨校准与容差成亲利用。AD5291/AD5292的游标创立可通过SPI数字接口限造。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可实行无尽次调治。这些器件不须要任何表部电压源来帮帮熔断熔丝,并供给20次很久编程的时机。正在20-TP激活光阴,一个很久熔断熔丝指令会将游标职位固定(雷同于将环氧树脂涂正在呆滞式调治器上)。AD5291/AD52...

  消息上风和特质 四通道、64位区别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标创立,并拥有写袒护成效 上电还原至EEMEM创立,改革时辰表率值为300 µs EEMEM重写时辰:540 µs(表率值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个非常字节,可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预订义线性递增/递减号召 预订义±6 dB阶跃转变号召 欲清楚更多消息,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254划分是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字限造电位计,可告终与呆滞电位计、调治器和可变电阻一样的电子调治成效。AD5253/AD5254拥有多成效编程才具,能够供给多种就业形式,征求读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例转变、游标创立回读,并非常供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找表或体系识别消息等。主控I2C限造器能够将任何64/256步游标创立写入RDAC寄存器,并将其存储正在EEMEM中。存储创立之后,体系上电时这些创立将自愿还原至RDAC寄存器;也能够动态还原这些创立。正在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  消息上风和特质 四通道、256位区别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标创立,并拥有写袒护成效 上电还原为EEMEM创立,改革时辰表率值为300 µs EEMEM重写时辰:540 µs(表率值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个非常字节,可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预订义线性递增/递减号召 预订义±6 dB阶跃转变号召 欲清楚更多个性,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254划分是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字限造电位计,可告终与呆滞电位计、调治器和可变电阻一样的电子调治成效。AD5253/AD5254拥有多成效编程才具,能够供给多种就业形式,征求读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例转变、游标创立回读,并非常供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找表或体系识别消息等。主控I2C限造器能够将任何64/256步游标创立写入RDAC寄存器,并将其存储正在EEMEM中。存储创立之后,体系上电时这些创立将自愿还原至RDAC寄存器;也能够动态还原这些创立。正在同步或异步通...

  消息上风和特质 非易失性存储器可存储游标创立 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标创立回读成效 线性递增/递减预订义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预订义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM创立,改革时辰幼于1 ms 非易失性存储器写袒护 数据保存刻日:100年(表率值, TA = 55°C )产物详情AD5252是一款双通道、数字限造可变电阻(VR),拥有256位区别率。它可告终与电位计或可变电阻一样的电子调治成效。该器件通过微限造器告终多成效编程,能够供给多种就业与调治形式。正在直接编程形式下,能够从微限造器直接加载RDAC寄存器的预创立。正在另一种首要就业形式下,能够用以前存储正在EEMEM寄存器中的创立更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,能够通过实践EEMEM存储操作,将该创立值存储正在EEMEM中。一朝将创立存储正在EEMEM寄存器之后,这些值就能够自愿传输至RDAC寄存器,以便正在体系上电时创立游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也能够从表部拜访预设值。根基调治形式便是正在游标位创立(RDAC)寄...

  消息上风和特质 非易失性存储器存储游标创立 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标创立回读成效 线性递增/递减预订义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预订义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM创立,改革时辰幼于1 ms 非易失性存储器写袒护 数据坚持才具:100年(表率值,TA = 55°C )产物详情AD5251是一款双通道、数字限造可变电阻(VR),拥有64位区别率。它可告终与电位计或可变电阻一样的电子调治成效。该器件通过微限造器告终多成效编程,能够供给多种就业与调治形式。正在直接编程形式下,能够从微限造器直接加载RDAC寄存器的预创立。正在另一种首要就业形式下,能够用以前存储正在EEMEM寄存器中的创立更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,能够通过实践EEMEM存储操作,将该创立值存储正在EEMEM中。一朝将创立存储正在EEMEM寄存器之后,这些值就能够自愿传输至RDAC寄存器,以便正在体系上电时创立游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也能够从表部拜访预设值。根基调治形式便是正在游标位创立(RDAC)寄存器...

  消息上风和特质 双通道、1024位区别率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差偏差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标创立 加电改革EEMEM创立 很久性存储器写袒护 电阻容差积储于EEMEM中 26字节非常非易失性存储器,用于存储用户界说消息 1M编程周期 表率数据保存期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度边界:-40℃至+125°C 受限造作基线 一个装置/测试厂 一个造作厂 加强型产物更动通告 认证数据可应央浼供给 V62/11605 DSCC图纸号产物详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,具有1024阶跃区别率,确保最大低电阻容差偏差为±8%。该器件可告终与呆滞电位计一样的电子调治成效,况且拥有加强的区别率、固态牢靠性和增光的低温度系数功能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235拥有矫健的编程才具,扶帮多达16种就业形式和安排形式,此中征求暂存编程、存储器存储和还原、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调治和游标创立回读,同时供给非常的EEMEM1 ,用于存储用户界说消息,如其他元件的存储器数据、查找表、体系标识消息等。...

  消息上风和特质 1024位区别率 非易失性存储器存储游标创立 上电时愚弄EEMEM创立改革 EEMEM还原时辰:140 µs(表率值) 统统缺乏性就业 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 很久存储器写袒护 游标创立回读成效 预订义线性递增/递减指令 预订义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产物详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字限造电位计**,供给1024阶区别率。它可告终与呆滞电位计一样的电子调治成效,况且拥有加强的区别率、固态牢靠性和遥控才具。该器件成效充分,可通过一个准绳三线式串行接话柄行编程,拥有16种就业与调治形式,征求便笺式编程、存储器存储与还原、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调治、游标创立回读,并非常供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找表或体系识别消息等。正在便笺式编程形式下,能够将特定创立直接写入RDAC寄存器,以创立端子W–A与端子W–B之间的电阻。此创立能够存储正在EEMEM中,并正在体系上电时自愿传输至RDAC寄存器。EEMEM实质能够动态还原,或者通过表部PR选通脉冲予以还原;WP成效则可袒护EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部构造为16kx8位。它拥有64字节页写缓冲区,并扶帮串行表设接口(SPI)和议。通过片选( CS )输入使能器件。别的,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128配置的任何串行通讯。该器件拥有软件和硬件写袒护成效,征求局限和十足阵列袒护。 片上ECC(纠错码)使该器件合用于高牢靠性利用。 合用于新产物(Rev. E)。 个性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件袒护 低功耗CMOS身手 SPI形式(0,0& 1,1) 工业温度边界 自依时写周期 64字节页面写缓冲区 块写袒护 - 袒护1 / 4,1 / 2或统统EEPROM阵列 1,000,000安放/时间se周期 100年数据保存 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此配置无铅,无卤素/ BFR,适宜RoHS准绳 其他识别拥有很久写袒护的页面 利用 汽车体系 通信体系 揣测机体系 消费者体系 工业体系 电道图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部构造为32kx8位。它拥有64字节页写缓冲区,并扶帮串行表设接口(SPI)和议。通过片选( CS )输入使能器件。别的,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256配置的任何串行通讯。该器件拥有软件和硬件写袒护成效,征求局限和十足阵列袒护。 片上ECC(纠错码)使该器件合用于高牢靠性利用。 合用于新产物(Rev. E)。 个性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压边界 SPI形式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 拥有很久写袒护的附加标识页(新产物) 自依时写周期 硬件和软件袒护 100年数据保存期 1,000,000个法式/擦除周期 低功耗CMOS身手 块写袒护 - 袒护1 / 4,1 / 2或悉数EEPROM阵列 工业温度边界 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及适宜RoHS准绳 利用 汽车体系 Communica tions Systems 揣测机体系 消费者体系 工业体系 ...

  消息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部构造为512x8位。安森美半导体进步的CMOS身手大大低重了器件的功耗央浼。它拥有16字节页写缓冲区,并扶帮串行表设接口(SPI)和议。该器件通过片选()启用。别的,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040配置的任何串行通讯。该器件拥有软件和硬件写袒护成效,征求局限和十足阵列袒护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压边界 SPI形式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自依时写入周期 硬件和软件袒护 块写袒护 - 袒护1 / 4,1 / 2或悉数EEPROM阵列 低功耗CMOS身手 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保存 工业和扩展温度边界 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,适宜RoHS准绳...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部构造为2048x8位。它们拥有32字节页写缓冲区,并扶帮串行表设接口(SPI)和议。通过片选( CS )输入使能器件。别的,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160配置的任何串行通讯。这些器件拥有软件和硬件写袒护成效,征求局限和十足阵列袒护。 个性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压边界 SPI形式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自依时写周期 硬件和软件袒护 块写袒护 - 袒护1 / 4,1 / 2或十足EEPROM阵列 低功耗CMOS身手 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保存 工业温度边界 适宜RoHS准绳的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 利用 汽车体系 通信体系 揣测机体系 消费者体系 工业体系 电道图、引脚图和封装图...

战神娱乐