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时间:2020-10-09 13:13

  器有着特殊昭着的上风地方,比如体积质料幼,电光转嫁的高效等上风地方,由于这些上风特征以致半导体激光器仍然被利用正在了各个行业中。半导体激光器通俗处境友最根蒂的发光单管实行组合,发光单管可酿成多个Bar条,再由多个 Bar条酿成必定的叠阵。由于我国半导体手艺程度的逐步加深,因此利用的功率也正在逐步升高,一个发光单管的极限功率能够抵达25瓦,峰值厘米巴条功率仍然拉长到了1000瓦,然而发光单管的体积确实特殊雅致的。由于芯片的升温会对半导体就业出现特殊吃紧的影响,因此本文特针对大功率半导体激光器若何有用散 热诚况实行了筹议,而且协商若何有用利用。

  芯片温度对激光器平常就业所需求的最幼电流的效率首要表现正在激光器的内部构造。因为芯片温度升高,激光器的最幼电流也会相应的加大,这时能够昭着看出半导体激光器正在最幼电流的支柱下,所必需要加快温度的散热效果,唯有云云本领够保障激光器的平常就业。

  半导体激光器的斜率成果即是半导体激光器的策动电流和驱光电流的线性数据,通俗处境下,半导体激光器的斜率成果愈大,所带来的机能也就加倍杰出,然而芯片的温度升高却也许使得半导体激光器的斜率成果得不到很好的阐扬。通过测验数据能够真切的看出,芯片的温度越高,激光器的发光成果就会变得很幼。

  倘若激光器的温度出现了蜕变,那么圈套器的发光长度也会随之相应的爆发蜕变。因此遵照之上所说的数据,芯片温度的升高,带之而来的激光器温度加大会使得激光器得不到优异的就业机能,因此对激光器的散热机能的筹议是刻阻挡缓的,也是激光器平常就业的闭头地方。

  半导体激光器平常就业时发出的热量人人是经历重淀发散,激光器的热量散热首要有低级散热和次级散热。激光器就业芯片经历多次庞人人变的工艺手艺实行低级散热。而次级散热能够和冷却物质爆发最为直接的效率,从而使的热量隐没。激光器出现的热量顺次由焊接间,绝缘间,低级散热,次级散热后实行最终的散失。此中,正在激光器发光成果必定水准中,念要有用淘汰激光器的温度就必必要做到这两点:一方面是,能够采用淘汰冷却液的温度,以此通过填补温度的分别来抵达温度的散失。

  激光器的传热导体能够分成固体导热和流固传导两个方面。固体层的热传导此中席卷热层的热阻,各个焊接间的热阻,绝缘间的热阻。为了也许有用淘汰固体端的热阻,许多筹议职员做出了提拔原质料导热机能的筹议,好比利用精钢石膜能够有用的实行热量的发散。

  这种形式比拟较守旧的热重材质,热阻的成果减轻了百分之四五十,最幼电流也获得了很昭着的下降。发光成果也获得了昭着的提拔。固然固体端热阻的减轻也许有用使得激光器的温度获得缓解,然而遵照相应的筹议呈现,再利用极少硅胶质料动作热重质料,此中固体端的热则仅仅抵达了流体端热阻的一半,这就代表着激光器的散热的重中之重即是正在于加大流体端的热阻。

  我国较为守旧的散热形式此中席卷天然对流法,大通道的水冷形式再有对半导体的冷却形式。

  我国关于激光器选取的守旧散热形式是利用热导性好的重淀,对半导体激光器的表层实行延长,利用天然散热形式,以此抵达对芯片温度下降的方针。这种形式机闭拥有必定的便当性,对证料的热导机能恳求法式也比力高,因此每每利用铜最为利用质料。然而这种形式仍然不也许餍足现当前的散热恳求。

  正在最入手下手的韶华,极少筹议学者为了也许满盈下降激光器热量发散的题目,将天然对流降温革新成了强迫性对流降温,由此映现了大通道热重形式。守旧的大通道水冷形式中的机闭是空腔型。进过对进水空隙的优化,也许抵达激光器发光效果的满盈阐扬,通过测验数据证据,云云的形式拥有很好的散热性能。固然这种水冷形式比起守旧的那些形式有着必定昭着的上风,然而它本身也是存正在着不够的,其首要的题目即是温度的散布不屈均。筹议学者为明晰决这个景象,正在通道之内扩张了许多换热架构,比如则流机闭。

  现当前,我国跟着大功率激光器的参加利用,因而筹议出了许多新型的散热形式,此中席卷利用通道散热,喷雾冷却液,热管 道散热形式等

  通过测验呈现了微型通道里单向水冷的高功用散热形式,利用微型通道单向水冷形式实行温度的冷却惹起了学者们的纷纷筹议,关于微型通道水冷形式的界说有两种,第一种是按照其尺寸来界说,此中对水力直径幼的界说为微型通道,另一种是通过对表观张力实行划分,分成了微型通道或者常例性通道。此中对微型通道散热机能的筹议车载斗量,从微型通道中液体的流向能够划分成单项和双项两种。伴跟着对微型通道表面常识的一向筹议,许多的筹议者将微型通道散热形式参加到了激光器的散热工 作中。

  和之前所述的微型通道散热形式,利用喷雾冷却是一种更为庞大的形式,其须要借帮高气压的形式,使得液体实行雾化,实行强力喷射,以此来告竣激光器的降温。此中极少学者筹议了激光器表观的毛糙水准对喷射冷却液热传导的影响,进过对表观毛糙水准实行加深,能够有用巩固喷雾的热流密度。通过这些测验筹议,都也许为喷雾冷却的本质参加利用扩张了可以性。现当前,正在我国化工财富,核电财富中遍及利用这种喷雾冷却形式。

  采用射流抨击经心降温的形式是一种通过高速的液体实行动表观的热传导,以此抵达降温的效率。此中极少学者做出了测验,他们利用二十三度的水动作喷射的物质,经历强力的喷射,使得温度担任正在了五十度上,学者还对喷射筑造实行安排筹议。利用微型电子机器操控方法,能够正在实行强力喷射的症结中使得就业告终的更好,其有着机闭雅致,牢靠性高的特征。特殊适合参加正在幼型激光器的散热题目上。除此除表,这种形式利用正在核反映堆上也能够,此中冷却介质能够换成氦气,此中温度分别能够酿成到1500w。

  由于液态金属的导热机能优异,比如铝合金的导热机能即是水的29倍之多,由于其具有着很好的对流热传导性,因此这种优异的热传导机能够遍及的利用正在电子芯片手艺上,然而也有逐一面学者呈现其能够参加利用正在激光器的散热题目上。有些筹议学者创作性的筑设出了一种液态性金属散热形式。测验进程是,金属物质正在圆环之内实行回旋,而且同时进过热管或者微型通道将铝合金等金属发散的热量带走,通过测验证明,正在激光器芯片表观的热流密度抵达1000w的处境下,芯片的温度只抵达23度, 云云就能很好的使得激光器获得很平常的利用。

  之上所说的这些散热形式也许处分热量密度,然而并不必定代表其拥有很好的降温机能。倘若单单从热量密度的巨细来评判其散热的效果是单方的,要对其实行周至归纳的侦查,对一种形式是否拥有优异的降温机能须要对热量密度和温度差别实行同时研讨。联系的筹议学者对差其它散热形式实行了筹议,统计了热量密度和温度差其它测验数据。此中测验数据证明,每种散热形式完毕的热量密度都可跟着温度的差别加大而加大。关于激光器的热重,日常处境下须要冷却介质的温度连结正在二十度旁边。

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  低静态电流:90μA/Ch 单元增益平稳 就业电压为2.7 V至5.5 V 供给单,双和四通道变体 端庄的ESD模范:2 kV HBM 扩展温度局限:-40°C至125°C 统统招牌均为其各自统统者的家当。 参数 与其它产物比拟 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件区别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压就业实行了优化。输入和输出能够以特殊高的压摆率从轨到轨就业。这些器件特殊合用于须要低压就业,高压摆率和低静态电流的本钱受限操纵。这些操纵席卷大型电器和三相电机的担任。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性平稳更高,容性更高。 TLV905x系列易于利用,由于器件是同一的 - 增益平稳,席卷一个RFI和EMI滤波器,正在过载要求下不会爆发反相。 性子 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单元增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain平稳 内部RFI和EMI滤波器 合用于低本钱操纵的可扩展CMOS运算放大器系列 就业电压低至1.8 V 因为电阻开环,电容负载更容易平稳输出阻抗 扩展温度局限:-40°C至125°C 统统招牌均为其各自统统者的家当。 参数 与其它产物比拟 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 巩固型产物,拥有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双道长途和当地温度传感器

  TMP422是拥有内置当地温度传感器的长途温度传感器看管器。长途温度传感用拥有二极管连合的晶体管 - 通俗是低本钱,NPN-或者PNP - 类晶体管或者动作微担任器,微执掌器,或者FPGA构成一面的二极管。 无需校准,对多分娩商的长途精度是±1°C。这个2线串行接口接收SMBus写字节,读字节,发送字节和采纳字节下令对此器件实行摆设。 TMP422席卷串联电阻抵消,可编程非理念性因子,步地限长途温度衡量(高达150℃),和二极管差错检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 性子 SOT23-8封装 ±1°C长途二极管传感器(最大值) ±2.5°C当地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地点 二极管妨碍检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产物比拟 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

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  TPS3840 拥有手动复位和可编程复位韶华延迟性能的毫微功耗高输入电压监控器

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  INA240-SEP 采用巩固型航天塑料且拥有巩固型 PWM 箝造性能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,拥有巩固的PWM反射性能,也许正在宽共模电压下检测分流电阻上的压降局限为-4V至80V,与电源电压无闭。负共模电压容许器件正在地下就业,顺应典范电磁阀操纵的反激韶华。 EnhancedPWM箝造为利用脉冲宽度调造(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)编造(如电机驱动和电磁阀担任编造)供给高程度的箝造。此性能可告竣准确的电流衡量,无需大的瞬态电压和输出电压上的联系光复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调容许电流检测,分流器上的最大压下降至10 mV满量程。 性子 VID V62 /18615 抗辐射 单变乱闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次利用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间巩固塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个装置和测试现场 一个筑设现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度局限 ExtendedProduct性命周期 扩展产物更改知照 产物可追溯性 用于低释气的巩固型模具化合物 巩固型PWM箝造 精彩...

  LM96000硬件看管用拥有与SMBus 2.0兼容的双线衡量: 两个长途二极管连合晶体管及其本身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了树立电扇速率,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一担任。支柱高和低PWM频率局限。 LM96000席卷一个数字滤波器,可挪用该滤波器以滑润温度读数,从而更好地担任电扇速率。 LM96000有四个转速计输入,用于衡量电扇速率。席卷统统衡量值的局部和状况寄存器。 性子 吻合SMBus 2.0法式的2线位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/执掌器电源 监控2个长途热二极管 基于温度读数的可编程自立电扇担任 电扇担任温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器诀别率 3 PWM电扇速率担任输出 供给崎岖PWM频率局限 4电扇转速计输入 监控5条VID担任线针TSSOP封装 XOR-tree测试形式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

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  用于衡量典范操纵中脉冲宽度调造功率的电扇转速的Smart-Tach形式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加快器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,也许正在76至81 GHz频段内就业。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺筑设,可正在极幼的表形尺寸内告竣亘古未有的集成度。 AWR1843是汽车周围低功耗,自监控,超准确雷达编造的理念处分计划。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片处分计划,可简化正在76至81 GHz频段内履行汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可告竣拥有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX编造的单片告竣。它集成了DSP子编造,此中蕴涵TI的高机能C674x DSP,用于雷达信号执掌。该筑造席卷BIST执掌器子编造,担任无线电摆设,担任和校准。其余,该器件还席卷一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加快器模块(HWA)能够履行雷达执掌,并能够帮帮正在DSP上保全MIPS以得到更高级其它算法。简易的编程模子更改能够告竣各类传感器告竣(短,中,长),而且能够动态从新摆设以告竣多模传感器。其余,该筑造动作完备的平台处分计划供给,席卷参考硬件安排,软件驱动轨范,示例摆设,API指南和用户文档。 性子 FMCW收发器 集成PLL,发送器,采纳...

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 周到运算放大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,疾速平稳,零漂移,零交叉器件,可告竣轨到轨输入和输出运转。这些性子及优异互换机能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相贯串,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高诀别率数模转换器(DAC)输出的理念拔取。该安排可正在驱动模数转换器(ADC)的进程中告竣优异机能,不会下降线(单通道版本)供给VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)供给VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)供给TSSOP-14和SO-14两种封装。上述统统版本正在-40°C至+ 125°C扩展工业温度局限内额定运转。 性子 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR本质RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 疾速平稳:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 实正在轨到轨输入和输出 已滤除电磁扰乱( EMI)/射频扰乱(RFI)的输入 行业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典范代表。该系列器件拥有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典范值为150μA),3MHz高带宽等性子,特殊合用于须要正在本钱与机能间告竣优异均衡的种种电池供电型操纵。 TLVx314-Q1系列可告竣1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理念拔取。 TLVx314-Q1器件采用端庄耐用的安排,便当电道安排职员利用。该器件拥有单元增益平稳性,支柱轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI箝造滤波器,正在过驱要求下不会映现反相而且拥有高静电放电(ESD)包庇(4kV人体模子(HBM))。 此类器件经历优化,适合正在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状况下就业并可正在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度局限内额定运转。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和幼表形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚幼表形尺寸集成电道(SOIC)封装和超薄表形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型幼表形尺寸(TSSOP)封装。 性子 吻合汽车类操纵的恳求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速操纵的低压数字开闭霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源就业,可检测磁通密度,并遵照预订义的磁阈值供给数字输出。 该器件检测笔直于封装面的磁场。当施加的磁通密度逾越磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开道输出驱动低电压。当磁通密度下降到幼于磁开释点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 区别出现的滞后有帮于提防输入噪声惹起的输出偏差。这种摆设使编造安排加倍壮健,可抵造噪声扰乱。 该器件可正在-40°C至+ 125°C的宽境况温度局限内首尾一贯地就业。 性子 数字单极开闭霍尔传感器 2.5 V至5.5 V就业电压V CC 局限 磁敏锐度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 疾速30-kHz觉得带宽 开漏输出也许抵达20 mA 优化的低压架构 集成滞后以巩固抗噪本事 就业温度局限:-40° C至+ 125°C 法式工业封装: 表观贴装SOT-23 统统招牌均为其各自统统者的家当。 参数 与其它产物比拟 霍尔效应锁存器和开闭   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具相闭断性能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比力器

  TLV1805-Q1高压比力器供给宽电源局限,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,闭断的特别组合和疾速输出反响。统统这些性子使该比力器特殊适合须要检测正或负电压轨的操纵,如智能二极管担任器的反向电流包庇,过流检测和过压包庇电道,此中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开闭。 岑岭值电流推挽输出级是高压比力器的特别之处,它拥有容许输出主动驱动负载到电源轨的上风拥有疾速角落速度。这正在MOSFET开闭须要被驱动为高或低以便将主机与不料高压电源连合或断开的操纵中特别有代价。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态闭断等附加性能使TLV1805-Q1足够矫健,能够执掌简直任何操纵,从简易的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1吻合AEC-Q100法式,采用6引脚SOT-23封装,额定就业温度局限为-40°C至+ 125°C。 性子 AEC-Q100吻合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C境况温度就业温度 器件HBMESD分类等第2 器件CDM ESD分类等第C4A 3.3 V至40 V电源局限 低静态电流:每个比力器150μA 两个导轨以表的输入共榜样围 相位反转包庇 推 - 拉输出 250ns撒布延迟 低输入失...

  这个长途温度传感器通俗采用低本钱分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微执掌器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微担任器或现场可编程门阵列(FPGA)中不成或缺的部件。当地和长途传感器均用12位数字编码显露温度,诀别率为0.0625°C。此两线造串口接收SMBus通讯允诺,以及多达9个差其它引脚可编程地点。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理念性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度局部和可编程数字滤波器等高级性子完整贯串,供给了一套正确度和抗扰度更高且端庄耐用的温度监控处分计划。 TMP461-SP是正在各类散布式遥测操纵中实行多位子高精度温度衡量的理念拔取这类集成式当地和长途温度传感器可供给一种简易的措施来衡量温度梯度,进而简化了航天器保护营谋。该器件的额定电源电压局限为1.7V至3.6V,额定就业温度局限为-55 °C至125°C。 性子 吻合QMLV法式VXC 热巩固型HKU封装 经测试,正在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵造高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,正在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵造高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨正在餍足各类汽车电源操纵中最新执掌器安定台的电源解决恳求。该器件蕴涵四个降压DC-DC转换器内核,摆设为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals担任。 自愿PFM /PWM(自愿形式)操作可正在宽输出电流局限内最大节造地升高效果。 LP87524B /J /P-Q1支柱长途电压检测,以赔偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而升高输出电压的精度。其余,开闭时钟能够强造为PWM形式,也能够与表部时钟同步,以最大节造地淘汰扰乱。 LP87524B /J /P-Q1器件支柱负载电流衡量,无需填补表部电流检测电阻器。其余,LP87524B /J /P-Q1还支柱可编程的启动和闭塞延迟以及与信号同步的序列。这些序列还能够席卷GPIO信号,以担任表部稳压器,负载开闭和执掌器复位。正在启动和电压蜕变时间,器件担任输出压摆率,以最大节造地淘汰输出电压过冲和浪涌电流。 性子 吻合汽车操纵恳求 AEC-Q100吻合以下结果: 筑造温度等第1:-40°C至+ 125°C境况就业温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压走电率...

  TAS2562 拥有扬声器 IV 检测性能的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经历优化,也许有用地将岑岭值功率驱动到幼型扬声器操纵中。 D类放大器也许正在电压为3.6 V的处境下向6.1负载供给6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可告竣对扬声器的及时监控。这容许正在将扬声器连结正在平和操作区域的同时饱吹峰值SPL。拥有提防掉电的电池跟踪峰值电压局部器可优化通盘充电周期内的放大器裕量,提防编造闭塞。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个民多总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高机能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(正在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效果为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW闭断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压局部器,拥有欠压防范 8 kHz至192 kHz采样率 矫健的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界法式的LM358和LM2904器件的下一代版本,席卷两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为本钱敏锐型操纵供给了卓绝的代价,拥有低失调(300μV,典范值),共模输入接地局限和高差分输入电压本事等特征。 LM358B和LM2904B器件简化电道安排拥有巩固平稳性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典范值)的低静态电流等巩固性能。 LM358B和LM2904B器件拥有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚忍,极具境况挑拨性的操纵。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,比如TSOT-8和WSON,以及行业法式封装,席卷SOIC,TSSOP和VSSOP。 性子 3 V至36 V的宽电源局限(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典范值) 1.2 MHz的单元增益带宽(B版) 广泛 - 形式输入电压局限席卷接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 正在吻合MIL-PRF-38535的产物上,除非另有阐明,不然统统参数均经历测试。正在统统其他产物上,分娩加工不必定席卷统统参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为餍足各类汽车电源操纵中最新执掌器安定台的电源解决恳求而安排。该器件蕴涵四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可摆设为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号实行担任。 自愿脉宽调造(PWM)到脉频调造(PFM)操作( AUTO形式)与自愿增相和切相相贯串,可正在较宽输出电流局限内最大节造地升高效果.LP8756x-Q1支柱对多相位输出的长途差分电压检测,可赔偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而升高输出电压的精度。其余,能够强造开闭时钟进入PWM形式以及将其与表部时钟同步,从而最大节造地下降扰乱。 LP8756x- Q1器件支柱正在不增加表部电流检测电阻器的处境下实行负载电这个序列可以席卷用于担任表部稳压器,负载开闭和执掌器复位的GPIO信号。正在启动和电压蜕变时间,该器件会对输出压摆率实行担任,从而最大节造地减幼输出电压过冲和浪涌电流。 性子 吻合汽车类法式 拥有吻合AEC-Q100法式的下列性子: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的境况运转温度局限 器件HBM ESD分类等第2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列席卷双道LM2904LV和四道LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器能够代替低电压操纵中的本钱敏锐型LM2904和LM2902。有些操纵是大型电器,烟雾探测器和片面电子产物.LM290xLV器件正在低电压下可供给比LM290x器件更佳的机能,而且性能耗尽。这些运算放大用拥有单元增益平稳性,而且正在过驱处境下不会映现相位反转.ESD安排为LM290xLV系列供给了起码2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业法式封装。这些封装席卷SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 性子 合用于本钱敏锐型编造的工业法式放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压局限席卷接地 单元增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单元增益平稳 可正在2.7V至5.5V的电源电压下运转 供给双通道和四通道型号

  厉峻的ESD规格:2kV HBM 扩展温度局限:-40°C至125°C 统统招牌均为各自统统者的家当。 参数 与其它产物比拟 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为餍足各类汽车电源操纵中最新执掌器安定台的电源解决恳求而安排。该器件蕴涵四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可摆设为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号实行担任。 自愿脉宽调造(PWM)到脉频调造(PFM)操作( AUTO形式)与自愿增相和切相相贯串,可正在较宽输出电流局限内最大节造地升高效果.LP8756x-Q1支柱对多相位输出的长途差分电压检测,可赔偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而升高输出电压的精度。其余,能够强造开闭时钟进入PWM形式以及将其与表部时钟同步,从而最大节造地下降扰乱。 LP8756x- Q1器件支柱正在不增加表部电流检测电阻器的处境下实行负载电这个序列可以席卷用于担任表部稳压器,负载开闭和执掌器复位的GPIO信号。正在启动和电压蜕变时间,该器件会对输出压摆率实行担任,从而最大节造地减幼输出电压过冲和浪涌电流。 性子 吻合汽车类法式 拥有吻合AEC-Q100法式的下列性子: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的境况运转温度局限 器件HBM ESD分类等第2 器件CDM ES...

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