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具有应用范围广、用量大等特点

时间:2020-10-12 14:05

  正在分立器件进展进程中,20世纪50年代,功率二极管、功率三极管面世并运用于工业和电力体系;20世纪60至70年代,晶闸管等半导体功率器件速捷进展;20世纪70年代末,平面型功率MOSFET进展起来••;20世纪80年代后期,沟槽型功率MOSFET和IGBT渐渐面世,半导体功率器件正式进入电子运用期间•;20世纪90年代,超结MOSFET渐渐涌现,粉碎古代硅限以餍足大功率和高频化的运用需求;2008年,英飞凌(Infineon)率先推出屏障栅功率MOSFET,半导体功率器件的机能进一步擢升•。

  现在半导体分立器件财富正正在发作深入的厘革,此中新质料成为财富新的进展重心。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等质料为代表的新质料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速率、高临界击穿电场等优异的机能而受到行业眷注,希望成为新型的半导体质料•。SiC、GaN等半导体质料属于新兴范畴,拥有极强的运用战术性和前瞻性。目前美欧、日韩及台湾等区域仍旧完成SiC、GaN等新质料半导体功率器件的量产。

  对国内墟市而言,功率二极管、功率三极管、晶闸管平分立器件产物大片面已完成国产化,而MOSFET•、IGBT平分立器件产物因为其技艺及工艺的优秀性•,还较大水平上依赖进口,他日进口取代空间强盛•。但是,国行家业内企业通过多年的技艺和本钱堆集,依托国度财富战略的中心扶植,也已着手结构新型半导体质料范畴。

  半导体分立器件是电力电子产物的基本之一,也是组成电力电子转折安装的重点器件之一•,要紧用于电力电子兴办的整流•、稳压、开闭、混频等,拥有运用限度广•、用量大等特性,正在消费电子、汽车电子•、电子仪器仪表、工业及主动职掌••、盘算机及周边兴办、收集通信等稠密国民经济范畴均有广大的运用•。从细分墟市来看,半导体分立器件受益于智能创造、电力改造•、电子通信升级、互联网等普及的趋向,其墟市也渐渐向高端促进。近年来,受益于国际电子创造财富的改观,以及下游行业需求的拉动•,我国半导体分立器件行业坚持了较速的进展态势••。

  据国度统计局界限以上工业统计数据显示••,近几年来,分立器件行业界限以上企业主生意务收入占半导体行业界限以上企业主生意务收入的比重庇护正在22%-25%之间。 据中国半导体行业协会统计数据显示,2017年,我国半导体分立器件终年发卖界限已达2473.9亿元,较2016年延长10•.60%。据前瞻测算,2018年终年•,我国半导体分立器件行业发卖额到达2669.3亿元•。

  下游墟市需求直接拉动了半导体分立器件的坐褥界限。变革绽放往后,十分是进入21世纪后,我国半导体分立器件行业内企业连接添加••,分立器件的产量随之攀升•;2011年,我国半导体分立器件的全部坐褥界限为4134.1亿只,至2017年延长至7301.5亿只,年均复合延长率到达9.94%。据前瞻测算,2018年终年,半导体分立器件行业坐褥界限到达7754.9亿只。

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